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1. (WO2004095467) MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/095467    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/005285
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 24.04.2003
CIB :
G11C 7/10 (2006.01), G11C 11/406 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUZAKI, Yasurou [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MATSUZAKI, Yasurou; (JP)
Mandataire : FURUYA, Fumio; Dai2 Meiho Bldg., 9th Floor, 19-5, Nishishinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0023 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY
(FR) MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体メモリ
Abrégé : front page image
(EN)A plurality of flags are formed so as to correspond to respective memory cell groups, each consisting of a plurality of volatile memory cells. Each flag indicates that the memory cell contains data in a second storage mode. When the first storage mode in which each memory cell holds data is switched to the second storage mode in which memory cells of each memory cell group holds the same data, each flag is reset in response to the first access of the corresponding memory cell group. For this, in each memory cell group, only the first access is performed in the second storage mode. In the aforementioned switching operation, by accessing a memory cell by the mode in accordance with the flag, a system managing the semiconductor memory can freely access the memory cell even during the switching operation. As a result, it is possible to substantially eliminate the switching time.
(FR)Selon l'invention, une pluralité de drapeaux sont formés de façon à correspondre à des groupes de cellules de mémoire respectifs, correspondant chacun à une pluralité de cellules de mémoire volatile. Chaque drapeau indique que la cellule de mémoire contient des données dans un second mode de stockage. Lorsque le premier mode de stockage dans lequel chaque cellule de mémoire conserve des données est basculé dans le second mode de stockage dans lequel les cellules de mémoire de chaque groupe conservent les mêmes données, chaque drapeau est réinitialisé en réponse au premier accès du groupe de cellules de mémoire correspondant. Pour cela, dans chaque groupe de cellules de mémoire, seul le premier accès est effectué dans le second mode de stockage. Lors de l'opération de basculement susmentionnée, en accédant à une cellule de mémoire par le mode en conformité avec le drapeau, un système gérant la mémoire à semi-conducteurs peut accéder librement à la cellule de mémoire, y compris pendant l'opération de basculement. Par conséquent, le temps de basculement peut être presque totalement supprimé.
(JA)複数のフラグは、複数の揮発性のメモリセルにより構成されるメモリセルグループに対応してそれぞれ形成されている。各フラグは、メモリセルが第2記憶モードでデータを記憶していることをセット状態として示す。メモリセル毎にデータを保持する第1記憶モードから各メモリセルグループのメモリセルに同一のデータを保持する第2記憶モードに切り替える切り替え動作において、各フラグは、対応するメモリセルグループの最初のアクセスに応じてリセットされる。このため、各メモリセルグループ毎に、最初のアクセスのみ第2記憶モードでアクセスされる。上記切り替え動作において、フラグに応じたモードでメモリセルをアクセスすることで、半導体メモリを管理するシステムは、切り替え動作の間もメモリセルに自在にアクセスできる。この結果、実質的な切り替え時間をなくすことができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)