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1. (WO2004095462) SURVOLTEUR D'ALIMENTATION RAPIDE, PRECIS ET DE FAIBLE PUISSANCE FAISANT APPEL A UN CONVERTISSEUR A/N
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/095462    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/007188
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 08.03.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.02.2005    
CIB :
G11C 5/14 (2006.01), G11C 8/08 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
LE, Binh Quang [US/US]; (US) (US Seulement).
LY, Cathy, Thuvan [US/US]; (US) (US Seulement).
CLEVELAND, Lee [US/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Pau-ling [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LE, Binh Quang; (US).
LY, Cathy, Thuvan; (US).
CLEVELAND, Lee; (US).
CHEN, Pau-ling; (US)
Mandataire : COLLOPY, Daniel, R.; One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
PICKER, Madeline, M.; Brookes Batchellor LLP, 102-108 Clerkenwell Road, London EC1M 5SA (GB)
Données relatives à la priorité :
10/406,415 03.04.2003 US
Titre (EN) FAST, ACCURATE AND LOW POWER SUPPLY VOLTAGE BOOSTER USING A/D CONVERTER
(FR) SURVOLTEUR D'ALIMENTATION RAPIDE, PRECIS ET DE FAIBLE PUISSANCE FAISANT APPEL A UN CONVERTISSEUR A/N
Abrégé : front page image
(EN)Flash memory array systems (340, 450, 500, 1200) and methods (1300) are disclosed for producing a regulated boosted word line voltage (348, 452, 532, 1235) for read operations. The system comprises a multi-stage voltage boost circuit (347, 500) operable to receive a supply voltage (343) and one or more output signals (345, 346, 525, 526) from a supply voltage detection circuit (342) to generate the boosted word line voltage (348, 532) having a value greater than the supply voltage (540). The voltage boost circuit comprises a precharge circuit (522) and a plurality of boost cells (540) connected to a common node (532) of the boosted word line, and a timing control circuit (510). The stages (1210, 1220, 1230) of the plurality of boost cells are coupled in series for charge sharing between the stages, and couple a predetermined number of boost cells to the boosted word line common node (532) to provide an intermediate voltage to the boosted word line during the pre-boost timing (747), thereby anticipating a final boosted word line voltage (770, 770a, 770b) provided during the boost timing (745). The voltage boost circuit is operable to receive the one or more output signals from the supply voltage detection circuit and alter a boost gain of the multi-stage voltage boost circuit based on the one or more output signals, thereby causing the boosted word line voltage to be substantially independent of the supply voltage value.
(FR)La présente invention concerne des systèmes de réseaux de mémoires flash (340, 450, 500, 1200) et des procédés (1300) qui permettent de produire une tension de ligne de mot survoltée régulée (348, 452, 532, 1235) pour les opérations de lecture. Le système comprend un circuit survolteur à plusieurs étages (347, 500) qui reçoit une tension d'alimentation (343) et un ou plusieurs signaux de sortie (345, 346, 525, 526) en provenance d'un circuit de détection de la tension d'alimentation (342) et produit une tension de ligne de mot survoltée (348, 532) possédant une valeur supérieure à celle de la tension d'alimentation (540). Le circuit survolteur comprend un circuit de précharge (522), une pluralité de cellules de survoltage (540) reliées à un noeud commun (532) de la ligne de mot survoltée, et un contrôleur de séquence (510). Les étages (1210, 1220, 1230) de la pluralité de cellules de survoltage sont couplés en série de façon qu'il se produit un partage de charge entre les étages, et ils couplent un nombre prédéterminé de cellules de survoltage au noeud commun de ligne de mot survoltée (532) afin de fournir une tension intermédiaire à la ligne de mot survoltée au cours de la séquence précédant le survoltage (747), anticipant de la sorte une tension de ligne de mot survoltée finale (770, 770a, 770b) fournie au cours de la séquence de survoltage (745). Le circuit survolteur reçoit le ou les signaux de sortie en provenance du circuit de détection de la tension d'alimentation et modifie un gain de survoltage du circuit de survoltage à plusieurs étages sur la base du ou des signaux précités, ce qui rend la tension de ligne de mot survoltée sensiblement indépendante par rapport à la valeur de la tension d'alimentation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)