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1. (WO2004095146) ELEMENT EMETTEUR D'ELECTRONS ET APPAREIL DE FORMATION D'IMAGE UTILISANT LEDIT ELEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/095146    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/005278
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 13.04.2004
CIB :
G03G 15/02 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho Abeno-ku, Osaka-shi Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
KOSHIDA, Nobuyoshi [JP/JP]; (JP).
IWAMATSU, Tadashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRAKAWA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOSHIDA, Nobuyoshi; (JP).
IWAMATSU, Tadashi; (JP).
HIRAKAWA, Hiroyuki; (JP)
Mandataire : FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Mitsui Sumitomo Bank Minamimorimachi Bldg. 1-29, Minamimorimachi 2-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300054 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-116091 21.04.2003 JP
Titre (EN) ELECTRON EMITTING ELEMENT AND IMAGE FORMING APPARATUS EMPLOYING IT
(FR) ELEMENT EMETTEUR D'ELECTRONS ET APPAREIL DE FORMATION D'IMAGE UTILISANT LEDIT ELEMENT
(JA) 電子放出素子およびそれを用いた画像形成装置
Abrégé : front page image
(EN)An electron emitting element (11) having a semiconductor layer (14) formed between an upper electrode (16) and a lower electrode (13), characterized in that an organic compound adsorption layer (15) is formed by adsorbing an organic compound to the surface of semiconductor of the semiconductor layer (14). The semiconductor layer (14) is composed of silicon or polysilicon and may be porous partially or entirely. The organic compound being adsorbed may be a compound formed of acyclic hydrocarbon, acyclic hydrocarbon bonded with at least an aldehyde group, or acyclic hydrocarbon having an unsaturated bonding. An electron emitting element operating stably even under atmospheric pressure or in low vacuum, and an image forming apparatus employing it can thereby be provided.
(FR)L'invention concerne un élément émetteur d'électrons (11), qui comprend une couche semiconductrice (14) formée entre une électrode supérieure (16) et une électrode inférieure (13), et se caractérise en ce qu'une couche d'adsorption d'un composé organique (15) est formée par adsorption d'un composé organique à la surface du semiconducteur de la couche semiconductrice (14). La couche semiconductrice (14) est composée de silicium ou de silicium polycristallin et peut être partiellement ou entièrement poreuse. Le composé organique adsorbé peut être un composé constitué d'un hydrocarbure acyclique, d'un hydrocarbure acyclique lié avec au moins un groupe aldéhyde, ou d'un hydrocarbure acyclique présentant une liaison insaturée. Un élément émetteur d'électrons fonctionnant de façon stable même dans des conditions de pression atmosphérique ou de manque de vide, et un appareil de formation d'image utilisant ledit élément peuvent ainsi être réalisés.
(JA)上部電極(16)と下部電極(13)との間に半導体層(14)が形成されている電子放出素子(11)であって、前記半導体層(14)の半導体表面に有機化合物を吸着させて有機化合物吸着層(15)を形成させることを特徴とする電子放出素子(11)である。ここで、前記半導体層(14)は、シリコンまたはポリシリコンからなり、その一部または全部を多孔質とすることができる。また、吸着させる前記有機化合物は、非環式炭化水素、非環式炭化水素に少なくともアルデヒド基が結合した化合物または不飽和結合を有する非環式炭化水素とすることができる。この結果、大気圧中もしくは低真空中で電子放出素子を動作させても安定して動作することができる電子放出素子およびそれを用いた画像形成装置を提供することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)