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1. (WO2004095092) STRUCTURE DE GUIDE D'ONDES OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/095092    N° de la demande internationale :    PCT/GB2004/001798
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 23.04.2004
CIB :
G02B 6/122 (2006.01)
Déposants : MESOPHOTONICS LIMITED [GB/GB]; Chilworth Business Incubator, 2 Venture Road, Chilworth Science Park, Southampton SO16 7NP (GB)
Inventeurs : ZOOROB, Majd; (GB).
CHARLTON, Martin; (GB).
PARKER, Greg; (GB)
Mandataire : GILL JENNING & EVERY; Broadgate House, 7 Eldon Street, London EC2M 7LH (GB)
Données relatives à la priorité :
10/421,949 24.04.2003 US
Titre (EN) AN OPTICAL WAVEGUIDE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE GUIDE D'ONDES OPTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A waveguide structure (200) according to the invention comprises a core layer (210), a cladding layer (206) and a buffer layer (208). Sub-regions (204) are formed in the cladding layer (206) but not in the cors layer (210). In one dimensional applications the sub-regions are slots: in two dimensional applications the sub-regions are rods. The yods or slots may be air-filled or filled with an in-fili material, (e.g. Si). The in-fill material, if present, enhances the contrast in dielectric constant between sub-regions (204) and the core layer (210). Sub-regions (204) may furthermore be formed in the portion of the buffer layer neighbouring the core layer. Slots or rods in the buffer may be air-filled or filled by an in-fili material. Substantially complete confinement of the mode in the core can be assured while stili maintaining the ability to interact with the field within the photonic band structure region. Rather than perturb the majority of the field (which is confined in the core), it is possible to interact with the evanescent field in the cladding layer (or the buffer layer) without substantially affecting mode confinement.
(FR)L'invention concerne une structure de guide d'ondes optique (200) comprenant une couche centrale (210), une couche de revêtement (206) et une couche tampon (208). Des sous-régions (204) sont formées dans la couche de revêtement (206) mais pas dans la couche centrale (210). Dans les applications unidimensionnelles, les sous-régions sont des fentes, et dans les applications bidimensionnelles, elles sont des tiges, les deux pouvant être remplies d'air ou de matériau de remplissage (par exemple, Si). Ledit matériau, s'il est présent, améliore le contraste de constante diélectrique entre les sous-régions (204) et la couche centrale (210). Des sous-régions (204) peuvent aussi être formées dans la partie de la couche tampon proche de la couche centrale. Les fentes ou les tiges de la couche tampon peuvent être remplies d'air ou de matériau de remplissage. On peut assurer un confinement sensiblement complet du mode dans la couche centrale, tout en maintenant l'aptitude à l'interaction avec le champ dans la région à structure de bande photonique. Plutôt que de perturber la majeure partie du champ (sous confinement dans la couche centrale), il est possible d'établir une interaction avec le champ évanescent de la couche de revêtement (ou de la couche tampon) sans affecter sensiblement le confinement de mode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)