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1. (WO2004094695) DEPOT DE COUCHE ATOMIQUE AMELIORE TRANSITOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/094695    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/006352
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 01.03.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.02.2005    
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01)
Déposants : GENUS, INC. [US/US]; 1139 Karlstad Drive, Sunnyvale, CA 94086 (US) (Tous Sauf US).
KIM, Gi, Youl [KR/US]; (US) (US Seulement).
SRIVASTAVA, Anuranjan [IN/US]; (US) (US Seulement).
SEIDEL, Thomas, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
LONDERGAN, Ana [BG/US]; (US) (US Seulement).
RAMANATHAN, Sasangan [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KIM, Gi, Youl; (US).
SRIVASTAVA, Anuranjan; (US).
SEIDEL, Thomas, E.; (US).
LONDERGAN, Ana; (US).
RAMANATHAN, Sasangan; (US)
Mandataire : FAHMI, Tarek; 12400 Wilshire Boulevard, 7th Floor, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
60/465,143 23.04.2003 US
Titre (EN) TRANSIENT ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION
(FR) DEPOT DE COUCHE ATOMIQUE AMELIORE TRANSITOIRE
Abrégé : front page image
(EN)A process in which a wafer is exposed to a first chemically reactive precursor dose insufficient to result in a maximum saturated ALD deposition rate on the wafer, and then to a second chemically reactive precursor dose, the precursors being distributed in a manner so as to provide substantially uniform film deposition. The second chemically reactive precursor dose may likewise be insufficient to result in a maximum saturated ALD deposition rate on the wafer or, alternatively, sufficient to result in a starved saturating deposition on the wafer. The process may or may not include purges between the precursor exposures, or between one set of exposures and not another.
(FR)L'invention concerne un procédé selon lequel une plaquette est exposée à une première dose de précurseur chimiquement réactif ne suffisant pas à obtenir une vitesse de dépôt de couche atomique saturée maximale sur la plaquette, puis à une deuxième dose de précurseur chimiquement réactif, les précurseurs étant répartis de manière à créer un dépôt de couche essentiellement uniforme. La deuxième dose de précurseur chimiquement réactif est également insuffisante pour obtenir une vitesse de dépôt de couche atomique saturée maximale sur la plaquette, ou suffisante pour obtenir un dépôt saturé mince sur la plaquette. Ledit procédé peut éventuellement faire intervenir des purges entre les expositions aux précurseurs, ou entre une seule série d'expositions.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)