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1. (WO2004094693) ENSEMBLE PLAQUE DE DISTRIBUTION DE GAZ POUR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ACTIVE PAR PLASMA SUR GRANDE SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/094693    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/011477
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 14.04.2004
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/509 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
CHOI, Soo, Young [US/US]; (US) (US Seulement).
SHANG, Quanyuan [US/US]; (US) (US Seulement).
GREENE, Robert, I. [US/US]; (US) (US Seulement).
HOU, Li [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHOI, Soo, Young; (US).
SHANG, Quanyuan; (US).
GREENE, Robert, I.; (US).
HOU, Li; (US)
Mandataire : PATTERSON, B., Todd; Moser, Patterson & Sheridan, L.L.P., 3040 Post Oak Boulevard, Suite 1500, Houston, TX 77056 (US)
Données relatives à la priorité :
10/417,592 16.04.2003 US
Titre (EN) GAS DISTRIBUTION PLATE ASSEMBLY FOR LARGE AREA PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
(FR) ENSEMBLE PLAQUE DE DISTRIBUTION DE GAZ POUR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ACTIVE PAR PLASMA SUR GRANDE SURFACE
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of a gas distribution plate for distributing gas in a processing chamber are provided. In one embodiment, a gas distribution plate includes a diffuser plate having a plurality of gas passages passing between an upstream side and a downstream side of the diffuser plate. At least one of the gas passages includes a first hole and a second hole coupled by an orifice hole. The first hole extends from the upstream side of the diffuser plate while the second hole extends from the downstream side. The orifice hole has a diameter less than the respective diameters of the first and second holes.
(FR)Sous différentes variantes, l'invention concerne une plaque de distribution de gaz pour la distribution de gaz dans une chambre de traitement. Selon une variante, ladite plaque comprend une plaque de diffusion à plusieurs passages de gaz entre un côté amont et un côté aval de cette plaque de diffusion. Au moins un passage comprend des premier et second trous couplés par un orifice. Le premier trou s'étend depuis le côté amont de la plaque de diffusion et le second trou s'étend depuis le côté aval. L'orifice comporte un diamètre inférieur aux diamètres respectifs des premier et second trous.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)