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1. WO2004094693 - ENSEMBLE PLAQUE DE DISTRIBUTION DE GAZ POUR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ACTIVE PAR PLASMA SUR GRANDE SURFACE

Numéro de publication WO/2004/094693
Date de publication 04.11.2004
N° de la demande internationale PCT/US2004/011477
Date du dépôt international 14.04.2004
CIB
C23C 16/44 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/509 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
50au moyen de décharges électriques
505utilisant des décharges à radiofréquence
509utilisant des électrodes internes
CPC
C23C 16/45565
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
45563Gas nozzles
45565Shower nozzles
C23C 16/5096
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
50using electric discharges
505using radio frequency discharges
509using internal electrodes
5096Flat-bed apparatus
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • CHOI, Soo, Young [US]/[US] (UsOnly)
  • SHANG, Quanyuan [US]/[US] (UsOnly)
  • GREENE, Robert, I. [US]/[US] (UsOnly)
  • HOU, Li [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • CHOI, Soo, Young
  • SHANG, Quanyuan
  • GREENE, Robert, I.
  • HOU, Li
Mandataires
  • PATTERSON, B., Todd
Données relatives à la priorité
10/417,59216.04.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) GAS DISTRIBUTION PLATE ASSEMBLY FOR LARGE AREA PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
(FR) ENSEMBLE PLAQUE DE DISTRIBUTION DE GAZ POUR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ACTIVE PAR PLASMA SUR GRANDE SURFACE
Abrégé
(EN)
Embodiments of a gas distribution plate for distributing gas in a processing chamber are provided. In one embodiment, a gas distribution plate includes a diffuser plate having a plurality of gas passages passing between an upstream side and a downstream side of the diffuser plate. At least one of the gas passages includes a first hole and a second hole coupled by an orifice hole. The first hole extends from the upstream side of the diffuser plate while the second hole extends from the downstream side. The orifice hole has a diameter less than the respective diameters of the first and second holes.
(FR)
Sous différentes variantes, l'invention concerne une plaque de distribution de gaz pour la distribution de gaz dans une chambre de traitement. Selon une variante, ladite plaque comprend une plaque de diffusion à plusieurs passages de gaz entre un côté amont et un côté aval de cette plaque de diffusion. Au moins un passage comprend des premier et second trous couplés par un orifice. Le premier trou s'étend depuis le côté amont de la plaque de diffusion et le second trou s'étend depuis le côté aval. L'orifice comporte un diamètre inférieur aux diamètres respectifs des premier et second trous.
Également publié en tant que
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