(EN) A switch, used as an electronic-memory element, comprising a conductive organic polymer layer (819) sandwiched between, and in contact with, two metallic conductive elements (802-806 and 810-813). In an initial post-fabrication state, the organic polymer layer is relatively highly conductive, the post-fabrication constituting a first stable state of the memory element that can serve to represent a binary bit “1” or “0,” depending on which of two possible encoding conventions is employed. A relatively high voltage pulse can be passed between the two metal conductive elements, resulting in a market decrease in the current-carrying capacity of the organic polymer layer sandwiched between the two conductive elements. This change in conductivity of the organic polymer layer is generally irreversible, and constitutes a second stable state of the memory element that may be used to encode a binary bit '0' or '1'. Organic-polymer-based memory elements, modified to include an additional diode-acting layer (818), may be fabricated in dense, two-dimensional arrays.
(FR) Cette invention concerne un commutateur utilisé comme élément de mémoire électronique et comprenant une couche de polymère organique conducteur intercalée entre deux éléments conducteurs métalliques de façon qu'elle soit en contact avec ceux-ci. Dans un état de post-fabrication initial, la couche de polymère organique est relativement hautement conductrice, la post-fabrication constituant un premier état stable de l'élément de mémoire pouvant servir à représenter un bit binaire '1 ou 0' selon la convention de codage utilisée parmi les deux possibles. Une impulsion de relativement haute tension peut être envoyée entre les deux éléments conducteurs métalliques, ce qui entraîne une baisse sensible de l'intensité de courant admissible de la couche de polymère organique intercalée entre les deux éléments conducteurs. Ce changement de conductivité de la couche de polymère organique est généralement irréversible et constitue un second état stable de l'élément de mémoire pouvant être utilisé pour coder un bit binaire '0' ou '1' encore une fois selon la convention de codage utilisée parmi les deux possibles. Des éléments de mémoire à base de polymère organique, modifiés afin qu'ils contiennent une couche servant de diode supplémentaire, peuvent être fabriqués en réseaux bidimensionnels denses.
