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1. WO2004070566 - COMMUTATEUR ELECTRONIQUE EN POLYMERE CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2004/070566
Date de publication 19.08.2004
N° de la demande internationale PCT/US2004/002846
Date du dépôt international 29.01.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 30.08.2004
CIB
G11C 13/02 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
13Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
02utilisant des éléments dont le fonctionnement dépend d'un changement chimique
H01L 27/28 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
H01L 51/30 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30Emploi de matériaux spécifiés
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
G11C 13/0014
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0009RRAM elements whose operation depends upon chemical change
0014comprising cells based on organic memory material
G11C 13/0016
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0009RRAM elements whose operation depends upon chemical change
0014comprising cells based on organic memory material
0016comprising polymers
H01L 27/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
H01L 51/0037
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0034Organic polymers or oligomers
0035comprising aromatic, heteroaromatic, or arrylic chains, e.g. polyaniline
0036Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
0037Polyethylene dioxythiophene [PEDOT] and derivatives
Y10T 428/31504
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
428Stock material or miscellaneous articles
31504Composite [nonstructural laminate]
Déposants
  • PRINCETON UNIVERSITY [US]/[US] (AllExceptUS)
Inventeurs
  • MOELLER, Sven
  • FORREST, Stephen
Mandataires
  • BERGSTROM, Robert, W.
Données relatives à la priorité
10/356,39431.01.2003US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CONDUCTIVE-POLYMER ELECTRONIC SWITCH
(FR) COMMUTATEUR ELECTRONIQUE EN POLYMERE CONDUCTEUR
Abrégé
(EN) A switch, used as an electronic-memory element, comprising a conductive organic polymer layer (819) sandwiched between, and in contact with, two metallic conductive elements (802-806 and 810-813). In an initial post-fabrication state, the organic polymer layer is relatively highly conductive, the post-fabrication constituting a first stable state of the memory element that can serve to represent a binary bit “1” or “0,” depending on which of two possible encoding conventions is employed. A relatively high voltage pulse can be passed between the two metal conductive elements, resulting in a market decrease in the current-carrying capacity of the organic polymer layer sandwiched between the two conductive elements. This change in conductivity of the organic polymer layer is generally irreversible, and constitutes a second stable state of the memory element that may be used to encode a binary bit '0' or '1'. Organic-polymer-based memory elements, modified to include an additional diode-acting layer (818), may be fabricated in dense, two-dimensional arrays.
(FR) Cette invention concerne un commutateur utilisé comme élément de mémoire électronique et comprenant une couche de polymère organique conducteur intercalée entre deux éléments conducteurs métalliques de façon qu'elle soit en contact avec ceux-ci. Dans un état de post-fabrication initial, la couche de polymère organique est relativement hautement conductrice, la post-fabrication constituant un premier état stable de l'élément de mémoire pouvant servir à représenter un bit binaire '1 ou 0' selon la convention de codage utilisée parmi les deux possibles. Une impulsion de relativement haute tension peut être envoyée entre les deux éléments conducteurs métalliques, ce qui entraîne une baisse sensible de l'intensité de courant admissible de la couche de polymère organique intercalée entre les deux éléments conducteurs. Ce changement de conductivité de la couche de polymère organique est généralement irréversible et constitue un second état stable de l'élément de mémoire pouvant être utilisé pour coder un bit binaire '0' ou '1' encore une fois selon la convention de codage utilisée parmi les deux possibles. Des éléments de mémoire à base de polymère organique, modifiés afin qu'ils contiennent une couche servant de diode supplémentaire, peuvent être fabriqués en réseaux bidimensionnels denses.
Documents de brevet associés
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