(EN) A crystalline ITO transparent conductive thin film is formed by heating a substrate at a low temperature during film formation by sputtering. The crystalline ITO transparent conductive thin film is formed by using an ITO target having a weight ratio of SnO2 to the total of In2O3 and SnO2 not more than 6 % and heating the substrate to 90-170 ˚C during film formation by sputtering. By heating the substrate at a low temperature fitting for its heat resistance, the crystalline ITO transparent conductive thin film with high strength and excellent mechanical durability can be formed without necessity of annealing after the film formation. A transparent conductive film wherein this ITO transparent conductive thin film (5) is formed on a polymer film (4) and a touch panel comprising such a transparent conductive film are also disclosed.
(FR) L'invention concerne un film mince conducteur transparent ITO cristallin formé par chauffage d'un substrat à faible température au cours de la formation d'un film par pulvérisation cathodique. Ledit film mince conducteur transparent ITO cristallin est formé au moyen d'une cible ITO présentant un rapport pondéral de SnO2 par rapport au poids total de In2O3 et de SnO2 ne dépassant pas 6%, le substrat étant chauffé à une température comprise entre 90 et 170°C au cours de la formation d'un film par pulvérisation cathodique. En chauffant le substrat à une faible température adaptée à sa résistance thermique, on peut obtenir un film mince conducteur transparent ITO cristallin présentant une haute résistance et une excellente ténacité mécanique sans qu'il soit nécessaire d'effectuer un traitement de recuit après la formation du film. L'invention concerne également un film conducteur transparent caractérisé en ce que ce film mince conducteur transparent ITO (5) est formé sur un film polymère (4), ainsi qu'un écran tactile comprenant un tel film conducteur transparent.
(JA) スパッタリング成膜時に基板を低温で加熱することにより結晶性ITO透明導電薄膜が成膜される。In2O3とSnO2との合計に対するSnO2の重量割合が6%以下のITOターゲットを用い、スパッタリング成膜時に基板を90~170℃に加熱することにより結晶性ITO透明導電薄膜を成膜する。基板の耐熱性に見合う低温加熱で、高強度で機械的耐久性に優れた結晶性ITO膜を成膜することができ、成膜後のアニールが不要となる。高分子フィルム4上にこのITO透明導電薄膜5が成膜された透明導電性フィルム及びこの透明導電性フィルムを備えるタッチパネルが提供される。