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1. WO2004065656 - FILM MINCE D'OXYDE D'ETAIN ET D'INDIUM (ITO), PROCEDE DE FORMATION DE CE FILM, FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT ET ECRAN TACTILE

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Numéro de publication WO/2004/065656
Date de publication 05.08.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2004/000527
Date du dépôt international 22.01.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 21.05.2004
CIB
C23C 14/08 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06caractérisé par le matériau de revêtement
08Oxydes
C23C 14/34 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
CPC
C23C 14/0021
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
0021Reactive sputtering or evaporation
C23C 14/086
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
08Oxides
086of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
C23C 14/3414
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
C23C 14/3464
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3464using more than one target
Déposants
  • 株式会社ブリヂストン BRIDGESTONE CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 大野 信吾 OHNO, Shingo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 岩淵 芳典 IWABUCHI, Yoshinori [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 吉川 雅人 YOSHIKAWA, Masato [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 重里 有三 SHIGESATO, Yuzo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 今 真人 KON, Masato [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 大野 信吾 OHNO, Shingo
  • 岩淵 芳典 IWABUCHI, Yoshinori
  • 吉川 雅人 YOSHIKAWA, Masato
  • 重里 有三 SHIGESATO, Yuzo
  • 今 真人 KON, Masato
Mandataires
  • 重野 剛 SHIGENO, Tsuyoshi
Données relatives à la priorité
2003-01630524.01.2003JP
2003-06526411.03.2003JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ITO THIN FILM, FILM-FORMING METHOD OF SAME, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND TOUCH PANEL
(FR) FILM MINCE D'OXYDE D'ETAIN ET D'INDIUM (ITO), PROCEDE DE FORMATION DE CE FILM, FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT ET ECRAN TACTILE
(JA) ＩＴＯ薄膜、その成膜方法、透明導電性フィルム及びタッチパネル
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Abrégé
(EN) A crystalline ITO transparent conductive thin film is formed by heating a substrate at a low temperature during film formation by sputtering. The crystalline ITO transparent conductive thin film is formed by using an ITO target having a weight ratio of SnO2 to the total of In2O3 and SnO2 not more than 6 % and heating the substrate to 90-170 ˚C during film formation by sputtering. By heating the substrate at a low temperature fitting for its heat resistance, the crystalline ITO transparent conductive thin film with high strength and excellent mechanical durability can be formed without necessity of annealing after the film formation. A transparent conductive film wherein this ITO transparent conductive thin film (5) is formed on a polymer film (4) and a touch panel comprising such a transparent conductive film are also disclosed.
(FR) L'invention concerne un film mince conducteur transparent ITO cristallin formé par chauffage d'un substrat à faible température au cours de la formation d'un film par pulvérisation cathodique. Ledit film mince conducteur transparent ITO cristallin est formé au moyen d'une cible ITO présentant un rapport pondéral de SnO2 par rapport au poids total de In2O3 et de SnO2 ne dépassant pas 6%, le substrat étant chauffé à une température comprise entre 90 et 170°C au cours de la formation d'un film par pulvérisation cathodique. En chauffant le substrat à une faible température adaptée à sa résistance thermique, on peut obtenir un film mince conducteur transparent ITO cristallin présentant une haute résistance et une excellente ténacité mécanique sans qu'il soit nécessaire d'effectuer un traitement de recuit après la formation du film. L'invention concerne également un film conducteur transparent caractérisé en ce que ce film mince conducteur transparent ITO (5) est formé sur un film polymère (4), ainsi qu'un écran tactile comprenant un tel film conducteur transparent.
(JA) 　スパッタリング成膜時に基板を低温で加熱することにより結晶性ＩＴＯ透明導電薄膜が成膜される。Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との合計に対するＳｎＯ２の重量割合が６％以下のＩＴＯターゲットを用い、スパッタリング成膜時に基板を９０～１７０℃に加熱することにより結晶性ＩＴＯ透明導電薄膜を成膜する。基板の耐熱性に見合う低温加熱で、高強度で機械的耐久性に優れた結晶性ＩＴＯ膜を成膜することができ、成膜後のアニールが不要となる。高分子フィルム４上にこのＩＴＯ透明導電薄膜５が成膜された透明導電性フィルム及びこの透明導電性フィルムを備えるタッチパネルが提供される。
Documents de brevet associés
EP1591554
JPWO2004065656
US20060003188
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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