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1. (WO2004064207) LASERS A POINTS QUANTIQUES NON TRIBUTAIRES DE LA TEMPERATURE ET DISPOSITIFS A GAIN PHOTONIQUES COMPORTANT DES ATOMES ACCEPTEURS PLACES A PROXIMITE, ET PROCEDES ASSOCIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/064207    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/000178
Date de publication : 29.07.2004 Date de dépôt international : 06.01.2004
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), H01S 1/00 (2006.01), H01S 5/00 (2006.01), H04B 10/12 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF TEXAS [US/US]; 201 West 7th Street, Austin, TX 78701-2902 (US) (Tous Sauf US).
DEPPE, Dennis, G. [US/US]; (US) (US Seulement).
SHCHEKIN, Oleg, B. [UA/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DEPPE, Dennis, G.; (US).
SHCHEKIN, Oleg, B.; (US)
Mandataire : GOTTLIEB, KIRK, A.; Morgan, Lewis & Bockius, LLP, 2 Palo Alto Square, Suite 700, 3000 El Camino Real, Palo Alto, CA 94306 (US)
Données relatives à la priorité :
10/338,509 07.01.2003 US
Titre (EN) QUANTUM DOT DEVICES HAVING PROXIMITY-PLACED ACCEPTOR IMPURITIES
(FR) LASERS A POINTS QUANTIQUES NON TRIBUTAIRES DE LA TEMPERATURE ET DISPOSITIFS A GAIN PHOTONIQUES COMPORTANT DES ATOMES ACCEPTEURS PLACES A PROXIMITE, ET PROCEDES ASSOCIES
Abrégé : front page image
(EN)Solid state optoelectronic and electronic devices that use semiconductor quantum dots for manipulation of photonic or electronic properties include a semiconductor active region (215) forming a quantum dot heterostructure (fig. 2b) having a plurality of quantum dot layers (240) each having discrete quantum hole states and a p-type impurity layer (245) formed proximate to at least one of the quantum dot layers (240) to provide excess equilibrium hole charge to occupy at least some of the discrete quantum hole states to improve To and other performance characteristics of quantum dot devices.
(FR)L'invention concerne des dispositifs opto-électroniques et électroniques à semi-conducteur utilisant des points quantiques semi-conducteurs pour modifier des propriétés photoniques ou électroniques, comprenant une région active formant une hétérostructure de points quantiques comportant une pluralité de couches de points quantiques possédant chacune des états discrets de points quantiques et une couche d'atomes de type p formée à proximité d'au moins une des couches de points quantiques pour fournir une charge de trou dépassant un équilibre pour occuper au moins un des états discrets de points quantiques pour améliorer To et d'autres caractéristiques de performance de dispositifs à points quantiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)