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1. (WO2004064164) SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/064164    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/000125
Date de publication : 29.07.2004 Date de dépôt international : 09.01.2004
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO. LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka, 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
SORADA, Haruyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAGI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ASAI, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
INOUE, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SORADA, Haruyuki; (JP).
TAKAGI, Takeshi; (JP).
ASAI, Akira; (JP).
INOUE, Akira; (JP)
Mandataire : SAEGUSA, Eiji; Kitahama TNK Building 1-7-1, Doshomachi, Chuo-ku Osaka-shi Osaka,5410045 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-004471 10.01.2003 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device comprising a semiconductor layer (3), a gate electrode (11) formed on the semiconductor layer (3) via a gate insulation film (10), and a first insulation film (13) formed on the side walls of the semiconductor layer (3), the gate insulation film (10) and the gate electrode (11), the first insulation film (13) covering part of the surface of the gate insulation film (10). This semiconductor device can control a leak current at an element isolation end to improve reliability.
(FR)La présente invention concerne un semi-conducteur comprenant une couche semi-conductrice (3), une électrode de grille (11), et un premier film d'isolation (13). L'électrode de grille (11) est formée sur la couche semi-conductrice (3) via un film d'isolation de grille (10). Le premier film d'isolation (13) est formé sur les parois latérales de la couche semi-conductrice (3), sur le film d'isolation de grille (10) et sur l'électrode de grille (11). Le premier film d'isolation (13) couvre une partie de la surface du film d'isolation de grille (10). Ce semi-conducteur peut s'opposer à une courant de fuite au niveau d'une extrémité d'isolation d'élément pour en améliorer la fiabilité.
(JA)半導体層(3)と、半導体層(3)上にゲート絶縁膜(10)を介して形成されているゲート電極(11)と、半導体層(3)、ゲート絶縁膜(10)、およびゲート電極(11)の側壁に形成されている第1の絶縁膜(13)とを備え、第1の絶縁膜(13)は、ゲート絶縁膜(10)の表面の一部を覆っている、半導体装置である。この半導体装置によれば、素子分離端におけるリーク電流を抑制して信頼性の向上を図ることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)