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1. (WO2004064147) INTEGRATION DE BARRIERES CONSTITUEES PAR DEPOT DCA/DCPV A DES MATERIAUX POREUX A FAIBLE K
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/064147    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/040857
Date de publication : 29.07.2004 Date de dépôt international : 19.12.2003
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : CHUNG, Hua; (US).
BEKIARIS, Nikolaos; (US).
MARCADAL, Christophe; (US).
CHEN, Ling; (US)
Mandataire : PATTERSON, B., Todd; Moser, Patterson & Sheridan, L.L.P., 3040 Post Oak Boulevard, Suite 1500, Houston, TX 77056 (US)
Données relatives à la priorité :
60/438,480 07.01.2003 US
Titre (EN) INTEGRATION OF ALD/CVD BARRIERS WITH POROUS LOW K MATERIALS
(FR) INTEGRATION DE BARRIERES CONSTITUEES PAR DEPOT DCA/DCPV A DES MATERIAUX POREUX A FAIBLE K
Abrégé : front page image
(EN)A method for processing substrates is provided. The method includes depositing and etching a low k dielectric layer on a substrate, pre-cleaning the substrate with a plasma, and depositing a barrier layer on the substrate. Pre-cleaning the substrate minimizes the diffusion of the barrier layer into the low k dielectric layer and/or enhances the deposition of the barrier layer.
(FR)L'invention porte sur un procédé de traitement de substrats consistant: à déposer sur le substrat puis mordre une couche diélectrique à faible k; à prénettoyer au plasma le substrat; et à déposer une couche barrière sur le substrat. Le prénettoyage réduit la diffusion de la couche barrière dans la couche diélectrique à faible k et/ou renforce le dépôt de la couche barrière.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)