Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2004064125 - STRUCTURE DE CANALISATION DE GAZ

Numéro de publication WO/2004/064125
Date de publication 29.07.2004
N° de la demande internationale PCT/IB2003/006315
Date du dépôt international 22.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 19.07.2004
CIB
C01B 7/20 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
7Halogènes; Hydracides d'halogènes
19Fluor; Acide fluorhydrique
20Fluor
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
CPC
B01D 39/2034
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
DSEPARATION
39Filtering material for liquid or gaseous fluids
14Other self-supporting filtering material ; ; Other filtering material
20of inorganic material, e.g. asbestos paper, metallic filtering material of non-woven wires
2027Metallic material
2031the material being particulate
2034sintered or bonded by inorganic agents
C01B 7/20
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
7Halogens; Halogen acids
19Fluorine; Hydrogen fluoride
20Fluorine
H01L 21/67017
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
Déposants
  • L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME A DIRECTOIRE ET CONSEIL DE SURVEILLANCE POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE [FR]/[FR] (AllExceptUS)
  • KIMURA, Takako [JP]/[JP] (UsOnly)
  • SONOBE, Jun [JP]/[JP] (UsOnly)
  • SATO, Hideyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • KIMURA, Takako
  • SONOBE, Jun
  • SATO, Hideyuki
Mandataires
  • VESIN, Jacques
Données relatives à la priorité
2003-00455510.01.2003JP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) GAS FEED LINE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE CANALISATION DE GAZ
Abrégé
(EN)
The problem is to provide a gas feed line structure that is well suited for supplying feed gases that contain 1% or more fluorine gas. A gas feed line structure for supplying a feed gas that contains 1% or more fluorine gas to a main process apparatus (10) has gas feed lines (48) and (28a) that connect a main process apparatus (10) to a feed gas source (32) and also has adsorption devices (52) and (54) that are disposed on said gas feed lines (28a) and (48). These adsorption (10) devices (52) and (54) contain an adsorption layer (66) that is composed mainly of a nickel sinter and that is traversed by the feed gas being supplied to the main process apparatus (10).
(FR)
L'invention concerne une structure de canalisation de gaz pouvant acheminer de manière appropriée des gaz d'alimentation contenant au moins 1 % de gaz fluoré. Une structure de canalisation de gaz destiné à acheminer un gaz d'alimentation contenant au moins 1 % de gaz fluoré vers un appareil de traitement principal (10) comprend des conduites d'alimentation en gaz (48 et 28a) qui raccordent un appareil de traitement principal (10) à une source de gaz d'alimentation (32); et aussi des dispositifs d'adsorption (52 et 54) disposés sur ces conduites d'alimentation en gaz (48 et 28a). Ces dispositifs d'adsorption (52 et 54) contiennent une couche d'adsorption (66) composée principalement d'un aggloméré de nickel et traversée par le gaz d'alimentation acheminé vers l'appareil de traitement principal (10).
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international