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1. (WO2004064072) METHODE ET APPAREIL POUR L'EMULATION D'UNE MEMOIRE MORTE PROGRAMMABLE EFFACABLE ELECTRIQUEMENT (EEPROM) FAISANT APPEL A DES CELLULES DE MEMOIRE A GRILLE FLOTTANTE NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/064072    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/041581
Date de publication : 29.07.2004 Date de dépôt international : 29.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.08.2004    
CIB :
G11C 16/04 (2006.01)
Déposants : ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [US/US]; 7 Commerce Drive, Danbury, Ct 06810 (US)
Inventeurs : SOWARDS, David; (US).
BLYTH, Trevor; (US).
HOLLMER, Shane; (US)
Mandataire : RYANN, William, F.; Advanced Technology Materials, Inc., 7 Commerce Drive, Danbury, CT 06810 (US)
Données relatives à la priorité :
10/340,342 10.01.2003 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR EMULATING AN EEPROM USING NON-VOLATILE FLOATING GATE MEMORY CELLS
(FR) METHODE ET APPAREIL POUR L'EMULATION D'UNE MEMOIRE MORTE PROGRAMMABLE EFFACABLE ELECTRIQUEMENT (EEPROM) FAISANT APPEL A DES CELLULES DE MEMOIRE A GRILLE FLOTTANTE NON VOLATILE
Abrégé : front page image
(EN)An emulated EEPROM memory array (200) is disclosed based on non-volatile floating gate memory cells, such as Flash cells, where a small group of bits share a common source line and common row lines, so that the small group of bits may be treated as a group during program and erase modes to control the issues of program disturb and effective endurance. The bits common to be shared source line make up the emulated EEPROM page which is the smallest unit that can be erased and reprogrammed, without disturbing other bits. The memory array is physically divided up into groups of columns. One embodiment employs four memory arrays (300-1 through 300-4), each consisting of 32 columns and 512 page rows. A global row decoder (400) decodes the major rows and a page row driver (600) and a page source driver (700) enable the individual rows and sources that make up a given array.
(FR)L'invention concerne un réseau de mémoire EEPROM émulée, fondé sur des cellules de mémoire à grille flottante non volatile, notamment des cellules Flash, dans lesquelles un petit groupe de bits partage une ligne de source commune et des lignes de rangée commune, de sorte que ce petit groupe de bits peut être traité en tant que groupe lors du programme, et efface des modes pour contrôler les problèmes de dérangement de programme et d'endurance efficace. Les bits communs à la ligne de source partagée constituent la page EEPROM émulée qui est la plus petite unité pouvant être effacée et reprogrammée, sans qu'il soit nécessaire d'avoir recours à un dérangement d'autres bits. Le réseau de mémoire est physiquement divisé en groupes de colonnes. Un mode de réalisation de l'invention fait appel à des réseaux de mémoire, chaque réseau comprenant 32 colonnes et 512 rangées de page (les quatre réseaux constituant un total de 1 024 pages, chaque page présentant 8 octets ou 64 bits). Un décodeur de rangée global décode les rangées principales et un pilote de rangée de page, et un pilote de source de page permet l'activation de rangées et de sources individuelles constituant un réseau donné. Les pilotes de rangée de page et les pilotes de source de pages sont décodés par un décodeur d'alimentation de rangée/source de pages, selon les adresses à accéder et les modes d'accès (effacement, programme ou lecture).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)