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1. (WO2004063827) APPAREIL ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE SOURCE DE COURANT CONSTANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/063827    N° de la demande internationale :    PCT/SG2003/000004
Date de publication : 29.07.2004 Date de dépôt international : 08.01.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.08.2004    
CIB :
G05F 3/26 (2006.01), H03F 3/345 (2006.01)
Déposants : AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH [SG/SG]; 20 Biopolis Way, #07-01 Centros, Singapore, 138668 (SG) (Tous Sauf US).
SHI, Bo [CN/SG]; (SG) (US Seulement)
Inventeurs : SHI, Bo; (SG)
Mandataire : AXIS INTELLECTUAL CAPITAL PTE LTD; 21A Duxton Road, Singapore 089487 (SG)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) APPARATUS AND METHOD FOR MAKING A CONSTANT CURRENT SOURCE
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE SOURCE DE COURANT CONSTANT
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus and a method for making a constant current source by using a constant transconductance source are disclosed. The constant current source comprises a constant voltage providing circuit, an on-chip resistor equivalent circuit, a current mirror circuit and a constant transconductance generating circuit. The on-chip resistor equivalent circuit includes a first MOSFET which is connected to the constant transconductance generating circuit for receiving a biasing voltage to bias the first MOSFET to operate in a deep triode region, thereby acting as a resistor. The constant voltage providing circuit includes a second MOSFET and an operational amplifier that is responsive to a reference voltage applied to the non-inverting terminal of the operational amplifier. The second MOSFET is biased to operate in a saturation region. The gate terminal of the second MOSFET is connected to the output terminal of the operational amplifier while the source terminal of the second MOSFET is connected to the inverting terminal of the operational amplifier and the drain terminal of the first MOSFET of the on-chip resistor equivalent circuit to provide a constant voltage to the first MOSFET for generating a constant current. The current mirror circuit is connected to the constant voltage providing circuit for mirroring the constant current to provide a constant current source for use by circuits requiring a constant current source.
(FR)L'invention concerne un appareil et un procédé de production d'une source de courant constant au moyen d'une source de transconductance constante. La source de courant constant comprend un circuit fournissant une tension constante, un circuit équivalent à une résistance sur puce, un circuit à miroir de courant et un circuit de génération de transconductance constante. Le circuit équivalent à une résistance sur puce comprend un premier MOSFET qui est connecté au circuit de génération de transconductance constante pour recevoir une tension de polarisation de manière à polariser le premier MOSFET pour que celui-ci fonctionne dans une région de triode profonde, et fait ainsi office de résistance. Le circuit fournissant une tension constante comprend un deuxième MOSFET et un amplificateur opérationnel qui répond à une tension de référence appliquée à la borne non inverseuse de ce dernier. Le deuxième MOSFET est polarisé de manière à fonctionner dans une région de saturation. La borne de grille du deuxième MOSFET est connectée à la borne de sortie de l'amplificateur opérationnel alors que la borne de source du deuxième MOSFET est connectée à la borne inverseuse dudit amplificateur opérationnel et à la borne de drain du premier MOSFET du circuit équivalent à une résistance sur puce de manière à fournir une tension constante au premier MOSFET afin que soit généré un courant constant. Ledit circuit à miroir de courant est connecté audit circuit fournissant une tension constante pour réfléchir le courant constant afin d'obtenir une source de courant constant à utiliser par des circuits nécessitant une source de courant constant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)