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1. (WO2004063430) CROISSANCE DE DIAMANT A GRANDE VITESSE A L'AIDE DE PLASMA MICRO-ONDE EN MODE PULSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/063430    N° de la demande internationale :    PCT/EP2003/007142
Date de publication : 29.07.2004 Date de dépôt international : 18.06.2003
CIB :
C23C 16/27 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01)
Déposants : CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE-CNRS- [FR/FR]; 3 Rue Michel Ange, F-75016 Paris Cédex 16 (FR) (Tous Sauf US).
UNIVERSITE PARIS NORD (PARIS XIII) INSTITUT GALILEE [FR/FR]; 99, Av. Jean-Baptiste Clément, F-93430 Villetaneuse (FR) (Tous Sauf US).
GICQUEL, Alix, Hélène [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
SILVA, François [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
DUTEN, Xavier [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
HASSOUNI, Khaled [MA/FR]; (FR) (US Seulement).
LOMBARDI, Guillaume, Vincent [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
ROUSSEAU, Antoine [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : GICQUEL, Alix, Hélène; (FR).
SILVA, François; (FR).
DUTEN, Xavier; (FR).
HASSOUNI, Khaled; (FR).
LOMBARDI, Guillaume, Vincent; (FR).
ROUSSEAU, Antoine; (FR)
Mandataire : BURBAUD, Eric; Cabinet Plasseraud, 65/67 Rue de la Victoire, F-75440 Paris Cedex 09 (FR)
Données relatives à la priorité :
03 00254 10.01.2003 FR
Titre (EN) HIGH-SPEED DIAMOND GROWTH USING A MICROWAVE PLASMA IN PULSED MODE
(FR) CROISSANCE DE DIAMANT A GRANDE VITESSE A L'AIDE DE PLASMA MICRO-ONDE EN MODE PULSE
Abrégé : front page image
(EN)Method for manufacturing a diamond film of electronic quality at a high rate using a pulsed microwave plasma, in which, in a vacuum chamber, a plasma of finite volume is formed near a substrate by subjecting a gas containing at least hydrogen and carbon to a pulsed discharge, which has a succession of low-power states and of high-power states, and having a peak absorbed power Pc, so as to obtain at least carbon-containing radicals in the plasma and to deposit the said carbon-containing radicals on the substrate in order to form a diamond film thereon. Power is injected into the volume of the plasma with a peak power density of at least 100 W/cm3, while maintaining the substrate to a substrate temperature of between 700°C and 1000°C.
(FR)Procédé de fabrication d'un film de diamant de qualité électronique à grande vitesse à l'aide d'un plasma micro-onde pulsé, selon lequel un plasma de volume fini est formé dans une chambre à vide près d'un substrat en soumettant un gaz contenant au moins de l'hydrogène et du carbone à une décharge pulsée présentant une succession d'états de basse puissance et d'états de haute puissance et ayant une puissance crête absorbée Pc, de manière à obtenir au moins des radicaux contenant du carbone dans le plasma, et selon lequel lesdits radicaux contenant du carbone sont déposés sur le substrat afin de former un film de diamant sur ledit substrat. De la puissance est injectée dans le volume du plasma à une densité de puissance crête d'au moins 100 W/cm3, le substrat étant simultanément maintenu à une température située entre 700 °C et 1000 °C.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)