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1. (WO2004063417) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT D'ACCROITRE LES SEUILS DE FISSURATION ET LES PROPRIETES MECANIQUES D'UNE MATIERE DIELECTRIQUE A FAIBLE PERMITTIVITE K
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/063417    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/000797
Date de publication : 29.07.2004 Date de dépôt international : 12.01.2004
CIB :
C23C 16/30 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
LI, Lihua [CN/US]; (US) (US Seulement).
HUANG, Tzu-Fang [--/US]; (US) (US Seulement).
ROCHA-ALVAREZ, Juan, C. [MX/US]; (US) (US Seulement).
XIA, Li-Qun [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LI, Lihua; (US).
HUANG, Tzu-Fang; (US).
ROCHA-ALVAREZ, Juan, C.; (US).
XIA, Li-Qun; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
10/342,085 13.01.2003 US
Titre (EN) METHOD TO IMPROVE CRACKING THRESHOLDS AND MECHANICAL PROPERTIES OF LOW-K DIELECTRIC MATERIAL
(FR) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT D'ACCROITRE LES SEUILS DE FISSURATION ET LES PROPRIETES MECANIQUES D'UNE MATIERE DIELECTRIQUE A FAIBLE PERMITTIVITE K
Abrégé : front page image
(EN)One embodiment of the present invention is a method for depositing low-k dielectric films that includes steps of: (a) CVD-depositing a low-k dielectric film; and (b) plasma treating the CVD-deposited, low-k dielectric film.
(FR)Dans un de ses modes de réalisation, la présente invention se rapporte à un procédé permettant de déposer des films diélectriques à faible permittivité k, qui comprend les étapes consistant (a) à effectuer un dépôt chimique en phase vapeur (CVD) d'un film diélectrique à faible k ; et (b) à traiter au plasma le film diélectrique à faible k ainsi formé par dépôt (CVD).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)