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1. (WO2004063256) POLY(3,4-ETHYLENEDIOXYTHIOPHENE)/POLY(STYRENE SULFONATE) A HAUTE TENACITE DESTINE A ETRE UTILISE DANS DES DISPOSITIFS ELECTROLUMINESCENTS POLYMERES PIXELISES A HAUT RENDEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/063256    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/000370
Date de publication : 29.07.2004 Date de dépôt international : 06.01.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.08.2004    
CIB :
C08L 65/00 (2006.01), C09D 165/00 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY [US/US]; 1007 Market Street, Wilmington, DE 19898 (US) (Tous Sauf US).
ZHANG, Chi [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ZHANG, Chi; (US)
Mandataire : CAPRIA, Mary, Ann; E.I. Du Pont De Nemours and Company, Legal Patent Records Center, 4417 Lancaster Pike, Wilmington, DE 19805 (US)
Données relatives à la priorité :
60/438,209 06.01.2003 US
Titre (EN) HIGH RESISTANCE POLY(3,4- ETHYLENEDIOXYTHIOPHENE)/POLY(STYRENE SULFONATE) FOR USE IN HIGH EFFICIENCY PIXELLATED ELECTROLUMINESCENT DEVICES
(FR) POLY(3,4-ETHYLENEDIOXYTHIOPHENE)/POLY(STYRENE SULFONATE) A HAUTE TENACITE DESTINE A ETRE UTILISE DANS DES DISPOSITIFS ELECTROLUMINESCENTS POLYMERES PIXELISES A HAUT RENDEMENT
Abrégé : front page image
(EN)High resistance PEDT/PSS buffer layers are provided for use in electroluminescent devices such as, e.g., OLEDs. In accordance with another embodiment, there are provided OLEDs comprising high resistance PEDT/PSS buffer layers. In accordance with a further embodiment, methods have been developed for decreasing the conductivity of a PEDT/PSS layer cast from aqueous solution onto a substrate, by adding a cyclic ether co-solvent to the aqueous solution of PEDT/PSS prior to casting. In one embodiment, there are provided methods for decreasing the inherent conductivity of a PEDT/PSS layer cast onto a substrate so that this material can be used as an intermediate buffer layer in red, green, blue organic light emitting diodes (RGB OLEDs).
(FR)L'invention concerne des couches tampons de PEDT/PSS à haute ténacité destinées à être utilisées dans des dispositifs électroluminescents, tels que des diodes électroluminescentes organiques. Dans un mode de réalisation, l'invention concerne des diodes électroluminescentes organiques qui comprennent des couches tampons de PEDT/PSS à haute ténacité. Dans un autre mode de réalisation, des procédés ont été développées afin de diminuer la conductivité d'une couche de PEDT/PSS moulées à partir d'une solution aqueuse sur un substrat en ajoutant un cosolvant d'éther cyclique à la solution aqueuse de PEDT/PSS avant le moulage. Dans un autre mode de réalisation, l'invention concerne des procédés qui permettent de diminuer la conductivité inhérente d'une couche de PEDT/PSS moulée sur un substrat de façon que ce matériau puisse être utilisé en tant que couche tampon intermédiaire dans des diodes électroluminescentes organiques rouge-vert-bleu.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)