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1. (WO2004063091) PROCEDE DE PRODUCTION DE MOLECULE DE CARBONE TUBULAIRE ET MOLECULE DE CARBONE TUBULAIRE, PROCEDE DE PRODUCTION DE DISPOSITIF D'ENREGISTREMENT ET DISPOSITIF D'ENREGISTREMENT, PROCEDE DE PRODUCTION D'ELEMENT A EMISSION D'ELECTRONS DE CHAMP ET ELEMENT A EMISSION D'ELECTRONS DE CHAMP, ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UNITE D'AFFICHAG
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/063091    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/000080
Date de publication : 29.07.2004 Date de dépôt international : 08.01.2004
CIB :
C01B 31/02 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (Tous Sauf US).
GOSAIN, Dharam, Pal [IN/JP]; (JP) (US Seulement).
KAJIURA, Hisashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MARUYAMA, Ryuichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIRAISHI, Masashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HUANG, Houjin [CN/JP]; (JP) (US Seulement).
KADONO, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WACHI, Shigeaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ATA, Masafumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : GOSAIN, Dharam, Pal; (JP).
KAJIURA, Hisashi; (JP).
MARUYAMA, Ryuichiro; (JP).
SHIRAISHI, Masashi; (JP).
HUANG, Houjin; (JP).
KADONO, Koji; (JP).
WACHI, Shigeaki; (JP).
ATA, Masafumi; (JP)
Mandataire : FUJISHIMA, Youichiro; 2F, Oodai Building, 9-5, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-3773 09.01.2003 JP
2003-3774 09.01.2003 JP
2003-3775 09.01.2003 JP
2003-3776 09.01.2003 JP
2003-3779 09.01.2003 JP
Titre (EN) PRODUCTION METHOD FOR TUBULAR CARBON MOLECULE AND TUBULAR CARBON MOLECULE, PRODUCTION METHOD FOR RECORDING DEVICE AND RECORDING DEVICE, PRODUCTION METHOD FOR FIELD ELECTRON EMISSION ELEMENT AND FIELD ELECTRON EMISSION ELEMENT, AND PRODUCTION METHOD FOR DISPLAY UNIT AND DISPLAY UNIT
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE MOLECULE DE CARBONE TUBULAIRE ET MOLECULE DE CARBONE TUBULAIRE, PROCEDE DE PRODUCTION DE DISPOSITIF D'ENREGISTREMENT ET DISPOSITIF D'ENREGISTREMENT, PROCEDE DE PRODUCTION D'ELEMENT A EMISSION D'ELECTRONS DE CHAMP ET ELEMENT A EMISSION D'ELECTRONS DE CHAMP, ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UNITE D'AFFICHAG
(JA) 筒状炭素分子の製造方法および筒状炭素分子、記録装置の製造方法および記録装置、電界電子放出素子の製造方法および電界電子放出素子、ならびに表示装置の製造方法および表示装置
Abrégé : front page image
(EN)A production method for a tubular carbon molecule capable of arraying carbon nanotubes at finer intervals and regularly. A catalyst is disposed on a material substrate (10) consisting of a semiconductor such as silicon (Si) and containing iron (Fe) as a catalyst by utilizing melting according to modulated heat distribution (11). The heat distribution (11) is formed by diffracting energy beams (12), for example, by a diffraction lattice (13). A method of disposing a catalyst may include, for example, depositing iron in a planar or protruding form in a position matching the heat distribution (11), or further transferring it, by using it as an original, onto another substrate. Carbon nanotubes are grown using the disposed catalyst. The grown nanotubes can be used for a recording device, a field electron emission element or an FED.
(FR)Procédé de production de molécule de carbone tubulaire permettant de mettre en place des nanotubes de carbone régulièrement selon des intervalles fins. Un catalyseur est placé sur un substrat (10) matériel constitué d'un semi-conducteur tel que du silicium (Si), et qui contient du fer (Fe) comme catalyseur, au moyen d'une fusion dépendant d'une distribution de chaleur (11) modulée. La distribution de chaleur (11) est produite par des faisceaux (12) d'énergie diffractante, par exemple par un réseau de diffraction (13). Un procédé de dépôt de catalyseur comprend par exemple les étapes consistant à déposer du fer dans une pièce plane ou à protubérances dont la position correspond à la distribution de chaleur (11), ou à transférer celle-ci, comme original, sur un autre substrat. Les nanotubes de carbone sont formés à l'aide du catalyseur déposé. Les nanotubes formés peuvent être utilisés dans un dispositif d'enregistrement, un élément à émission d'électrons de champ ou un écran à émission de champ.
(JA)カーボンナノチューブをより微細な間隔で規則正しく配列させることができる筒状炭素分子の製造方法を提供する。シリコン(Si)などの半導体からなり、触媒として鉄(Fe)を含む素材基板(10)に対して、変調された熱分布(11)に応じた溶融を利用して触媒を配置する。熱分布(11)は、例えばエネルギービーム(12)を回折格子(13)により回折させることにより形成する。触媒の配置方法としては例えば熱分布(11)に応じた位置に平面状または突起状に鉄を析出させてもよいし、更にこれを原盤として他の基板に転写してもよい。配置された触媒を利用してカーボンナノチューブを成長させる。成長したカーボンナノチューブは、記録装置、電界電子放出素子またはFEDなどとして用いることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)