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1. (WO2004062907) CORPS LAMINE EN SILICIUM COMPORTANT UNE COUCHE DE SILICIUM FORMEE SUR UNE FEUILLE DE SUPPORT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/062907    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/016004
Date de publication : 29.07.2004 Date de dépôt international : 12.12.2003
CIB :
C23C 14/02 (2006.01), C23C 14/16 (2006.01)
Déposants : FCM CO., LTD. [JP/JP]; 8-36, Kamiji 3-chome, Higashinari-ku, Osaka-shi, Osaka 537-0003 (JP) (Tous Sauf US).
MIURA, Shigeki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIURA, Shigeki; (JP)
Mandataire : FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Mitsui Sumitomo Bank Minamimorimachi Bldg., 1-29, Minamimorimachi 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 530-0054 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-002471 08.01.2003 JP
Titre (EN) Si LAMINATED BODY HAVING Si LAYER FORMED ON SUBSTRATE SHEET
(FR) CORPS LAMINE EN SILICIUM COMPORTANT UNE COUCHE DE SILICIUM FORMEE SUR UNE FEUILLE DE SUPPORT
(JA) 基体シート上にSi層を形成したSi積層体
Abrégé : front page image
(EN)An Si laminated body (100) is characterized in that formed by the sputtering method on the front and/or back of a substrate sheet (101) whose thickness is 4 - 1000 μm and whose surface roughness Ra value at an optional temperature at least above 180ºC is not more than 2 μm and in which the difference between an Ra value at such optional temperature and an Ra value at 25ºC is within 5%, is an Si layer (102) whose thickness is 0.0005 - 200 μm and which is made of Si having a purity of 99.999% or above.
(FR)La présente invention concerne un corps laminé en silicium (100) qui se caractérise en ce qu'il est formé par pulvérisation sur l'avant et/ou l'arrière d'une feuille de support (101) dont l'épaisseur est comprise entre 4 et 1000 $g(m)m et dont la valeur Ra de rugosité superficielle, à une température facultative au moins supérieure à 180 °C, n'est pas supérieure à 2 $g(m)m, et dans laquelle la différence entre une valeur Ra à cette température facultative et une valeur Ra à 25 °C est inférieure ou égale à 5 %, la couche de silicium (102) possédant une épaisseur comprise entre 0,0005 et 200 $g(m)m et le silicium ayant une pureté supérieure ou égale à 99,999 %.
(JA)本発明のSi積層体(100)は、厚さが4~1000μmであり、少なくとも180℃以上の任意の温度における表面粗さRa値が2μm以下であって、かつその任意の温度におけるRa値と25℃におけるRa値との差が5%以内である基体シート(101)に対して、その基体シート(101)のいずれか一方の表面または表裏両面に、厚さが0.0005~200μmであり、かつ純度が99.999%以上のSiからなるSi層(102)をスパッタリング方法により形成したことを特徴としている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)