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1. WO2004062322 - DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT ET PROCEDE DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2004/062322
Date de publication 22.07.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2003/015766
Date du dépôt international 10.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 14.01.2004
CIB
H01L 51/30 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30Emploi de matériaux spécifiés
H01L 51/40 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
40Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H05B 33/26 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33Sources lumineuses électroluminescentes
12Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
26caractérisées par la composition ou la disposition du matériau conducteur utilisé comme électrode
CPC
H01L 51/002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
002Making n- or p-doped regions
H01L 51/0036
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0034Organic polymers or oligomers
0035comprising aromatic, heteroaromatic, or arrylic chains, e.g. polyaniline
0036Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
H01L 51/005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
H01L 51/0051
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0051Charge transfer complexes
H01L 51/0077
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0077Coordination compounds, e.g. porphyrin
H01L 51/5088
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
5088Carrier injection layer
Déposants
  • SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • TOKUDA, Atsushi
  • TAKASU, Takako
  • SEO, Satoshi
  • NOMURA, Ryoji
Données relatives à la priorité
2002-36869219.12.2002JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT ET PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 発光装置及びその作製方法
Abrégé
(EN)
A conjugated polymer which has a basic skeleton of a polythiophene derivative, a polyaniline derivative, a polypyrrole derivative, or a polyfuran derivative and is soluble to organic compounds is doped with a dopant that is an electron-accepting organic molecule not containing an acid component for oxidization of the main chain. An El device of the present invention is characterized by using such a doped conjugated polymer as a material for a hole injection layer. Since this polymer is soluble to organic solvents, a film thereof can be formed on a highly water-repellent substrate through application. Therefore, a film thereof can be easily formed on a TFT substrate which is necessary to an active matrix display. Since a dopant not containing an acid component is used, influences on an organic thin film or an electrode which is in contact with the hole injection layer can be suppressed to the minimum.
(FR)
Un polymère conjugué qui possède le squelette basique d'un dérivé de polythiophène, d'un dérivé de polyaniline, d'un dérivé de polypyrrole ou d'un dérivé de polyfurane et qui est soluble dans des composés organiques est dopé avec un dopant qui est une molécule organique accepteuse d'électron ne contenant pas de composant acide pour l'oxydation de la chaîne principale. Le dispositif électroluminescent de cette invention se caractérise en ce qu'il utilise ce polymère conjugué dopé comme matériau d'une couche d'injection de trous. Comme ce polymère est soluble dans des solvants organiques, un film de celui-ci peut être formé sur un substrat hautement hydrofuge via une application. Par conséquent, un film de celui-ci peut être facilement formé sur un substrat TFT, ce qui est requis pour un afficheur à matrice active. Comme on utilise un dopant ne contenant pas de composant acide, on peut supprimer au maximum les influences sur un film mince ou une électrode en contact avec cette couche d'injection de trous
(JA)
ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体またはポリフラン誘導体を基本骨格とする有機化合物に可溶な共役高分子を、酸成分を含まない電子受容性有機分子のドーパントによって主鎖を酸化し、ドープされた該共役高分子を正孔注入層を形成する材料として用いることを特徴とするEL素子を提供する。当該高分子は有機溶媒に可溶であるため、撥水性の高い基板に対しても塗布によって成膜可能であり、アクティブマトリックス表示装置に不可欠なTFT基板の上などにも容易に成膜することができる。また、酸成分を含まないドーパントを用いるため、該正孔注入層に接する有機薄膜や電極に対する影響を最小限に抑制することを可能にする。
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