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1. (WO2004062093) AMPLIFICATEUR A FAIBLE BRUIT A PORTE COMMUNE A TRAVERSEE RESISTIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/062093    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/039174
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 09.12.2003
CIB :
H03F 3/193 (2006.01)
Déposants : CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 1200 East California Boulevard, Pasadena, CA 91125 (US) (US Seulement).
HAJIMIRI, Seyed-Ali [IR/US]; (US) (US Seulement).
GUAN, Xiang [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HAJIMIRI, Seyed-Ali; (US).
GUAN, Xiang; (US)
Mandataire : ROURK, Christopher, J.; Akin Gump Strauss Hauer & Feld, LLP, P.O. Box 688, Dallas, TX 75313-0688 (US)
Données relatives à la priorité :
60/435,504 20.12.2002 US
Titre (EN) COMMON GATE WITH RESISTIVE FEED-THROUGH LOW NOISE AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR A FAIBLE BRUIT A PORTE COMMUNE A TRAVERSEE RESISTIVE
Abrégé : front page image
(EN)A radio-frequency amplifier is provided. The radiofrequency amplifier includes a transistor having an input terminal, an output terminal, a control terminal, and a transconductance gm. A series-connected feed-through resistance Rf and feed-through capacitance Cf is connected in parallel with the input terminal and the output terminal of the transistor. A load resistance RL is connected to the output terminal. The control terminal of the transistor is biased at a fixed voltage. Part of the transistor noise follows the looped path through the feed-through resistor instead of passing on to the load, which reduces the noise figure of the amplifier. The value of gm, Rf and RL are chosen in a way to keep the input impedance of the amplifier matched to a well-defined signal source impedance.
(FR)L'invention porte sur un amplificateur RF comportant un transistor présentant une borne d'entrée, une borne de sortie, une borne de commande, et une transductance (Gm). Une résistance de traversée (Rf) et une capacité de traversée (Cf) sont montées en parallèle avec la borne d'entrée et la borne de sortie du transistor. Une résistance de charge (RL) est placée sur la borne d'entrée. La borne de commande du transistor est polarisée à une tension fixe. Une partie du bruit du transistor suit la boucle traversant la résistance de traversée au lieu de passer par la charge, ce qui réduit le facteur de bruit de l'amplificateur. Les valeurs de Gm, Rf et RL sont choisies de manière à maintenir l'impédance de l'amplificateur adaptée à une impédance de source bien définie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)