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1. (WO2004061978) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061978    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/016033
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 15.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.12.2003    
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 108-8001 (JP) (Tous Sauf US).
OKAMOTO, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAMOTO, Hironobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ANDO, Yuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAYAMA, Tatsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
INOUE, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUZUHARA, Masaaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OKAMOTO, Yasuhiro; (JP).
MIYAMOTO, Hironobu; (JP).
ANDO, Yuji; (JP).
NAKAYAMA, Tatsuo; (JP).
INOUE, Takashi; (JP).
KUZUHARA, Masaaki; (JP)
Mandataire : HAYAMI, Shinji; Daikanyama TK Bldg. 1F, 2-17-16, Ebisu-Nishi, Shibuya-ku, Tokyo 150-0021 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-000842 07.01.2003 JP
Titre (EN) FIELD-EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
(JA) 電界効果トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)An electric-field controlling electrode (5) is formed between a gate electrode (2) and a drain electrode (3). A multilayer film composed of an SiN film (21) and an SiO2 film (22) is formed under the electric-field controlling electrode (5). The SiN film (21) is so formed as to cover the surface of an AlGaN electron supply layer (13).
(FR)On forme une électrode de commande de champ électrique (5) entre une électrode grille (2) et une électrode drain (3). Un film multicouche composé d'un film de SiN (21) et d'un film de SiO2 (22) est formé sous l'électrode de commande de champ électrique (5). Le film de SiN (21) est formé de sorte qu'il recouvre la surface d'une couche d'AlGaN donneuse d'électrons (13).
(JA)ゲート電極(2)およびドレイン電極(3)の間に、電界制御電極(5)を形成する。電界制御電極(5)の下に、SiN膜(21)およびSiO膜(22)からなる積層膜を形成する。SiN膜(21)はAlGaN電子供給層(13)の表面を覆うように形成する。
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (DE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)