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1. (WO2004061975) OXYDE DE FOND EPAIS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061975    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/039807
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 15.12.2003
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : SILICONIX INCORPORATED [US/US]; 2201 Laurelwood Road, Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : DARWISH, Mohamed, N.; (US).
TERRILL, Kyle, W.; (US).
QI, Jainhai; (US)
Mandataire : STEUBER, David, E.; Silicon Valley Patent Group LLP, 2350 Mission College Boulevard, Suite 360, Santa Clara, CA 95054 (US)
Données relatives à la priorité :
10/326,311 19.12.2002 US
10/454,031 04.06.2003 US
Titre (EN) TRENCH MIS DEVICE HAVING IMPLANTED DRAIN-DRIFT REGION AND THICK BOTTOM OXIDE AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) OXYDE DE FOND EPAIS
Abrégé : front page image
(EN)A trench MIS device is formed in a P-epitaxial layer that overlies an N-epitaxial layer and an N+ substrate. In one embodiment, the device includes a thick oxide layer at the bottom of the trench and an N-type drain-drift region that extends from the bottom of the trench to the N-epitaxial layer. The thick insulating layer reduces the capacitance between the gate and the drain and therefore improves the ability of the device to operate at high frequencies. Preferably, the drain-drift region is formed by fabricating spacers on the sidewalls of the trench and implanting an N-type dopant between the sidewall spacers and through the bottom of the trench. The thick bottom oxide layer is formed on the bottom of the trench while the sidewall spacers are still in place. The drain-drift region can be doped more heavily than the conventional 'drift region' that is formed in an N-epitaxial layer. Thus, the device has a low on-resistance. The N-epitaxial layer increases the breakdown voltage of the MIS device.
(FR)L'invention concerne un dispositif MIS à tranchée formé dans une couche P-épitaxiale recouvrant une couche N-épitaxiale et un substrat N+. Dans un mode de réalisation, le dispositif comporte une couche d'oxyde épais sur la partie inférieure de la tranchée et une région de dérive du drain de type N s'étendant depuis le fond de la tranchée vers la couche N-épitaxiale. La couche d'isolation épaisse réduit la capacitance entre la grille et le drain et améliore, de ce fait, la capacité du dispositif à fonctionner à des fréquences élevées. La région de dérive du drain est formée, de préférence, par la fabrication d'espacements sur les parois latérales de la tranchée et par l'implantation d'un dopant de type N qui vient entre les espacements des parois latérales et traverse le fond de la tranchée. La couche d'oxyde épais est formée sur le fond de la tranchée alors que les espacements sont toujours immobilisés. La région de dérive du drain peut être dopée plus difficilement que la région de dérive « habituelle » formée dans une couche N-épitaxiale. Ainsi, le dispositif présente une faible résistance. La couche N-épitaxiale augmente la tension de rupture du dispositif MIS.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)