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1. (WO2004061972) DISPOSITIFS A DOUBLE PLAN DENSES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061972    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/038519
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 05.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.07.2004    
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US)
Inventeurs : NOWAK, Edward, J.; (US).
RAINEY, BethAnn; (US)
Mandataire : BLECKER, Ira, D.; International Business Machines Corporation, Dept. 18G, Bldg. 300/482, 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Données relatives à la priorité :
10/248,123 19.12.2002 US
Titre (EN) DENSE DUAL-PLANE DEVICES
(FR) DISPOSITIFS A DOUBLE PLAN DENSES
Abrégé : front page image
(EN)An MOS device with first and second freestanding semiconductor bodies (40N, 40P) formed on a substrate (10). The first freestanding semiconductor body (40N or 40P) has a first portion thereof disposed at a non-orthogonal, non parallel orientation with respect to a first portion of the second freestanding semiconductor body (40P or 40N). These portions of said first and second freestanding semiconductor bodies (40N, 40P) have respective first and second crystalline orientations. A first gate electrode (60) crosses over at least part of said first portion of said first freestanding semiconductor body (40N or 40P) at a non-orthogonal angle, as does a second gate electrode (60) over the first portion of the second freestanding semiconductor body (40P or 40N).
(FR)L'invention concerne un dispositif MOS comprenant un premier et un second corps semi-conducteur indépendant (40N, 40P) formés sur un substrat (10). Une première partie du premier corps semi-conducteur indépendant (40N ou 40P) est disposée selon une orientation non perpendiculaire et non parallèle par rapport à une première partie du second corps semi-conducteur indépendant (40P ou 40N). Ces parties des premier et second corps semi-conducteurs indépendants (40N, 40P) présentent des première et seconde orientations cristallines respectives. Une première électrode de grille (60) traverse au moins partiellement la première partie du premier corps semi-conducteur indépendant (40N ou 40P) selon un angle non droit et une seconde électrode de grille (60) traverse au moins partiellement la première partie du second corps semi-conducteur indépendant (40N ou 40P) selon un angle non droit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)