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1. (WO2004061969) CROISSANCE DE NITRURE DE GALLIUM A PLAN A NON POLAIRES ET A GEOMETRIE PLANAIRE PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR DE L'HYDRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061969    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/021916
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 15.07.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.05.2004    
CIB :
C30B 25/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor, Oakland, CA 94607 (US) (Tous Sauf US).
JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 4-1-8, Honcho, Kawaguchi City, Saitama Prefecture 332-0012 (JP).
HASKELL, Benjamin, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
FINI, Paul, T. [US/US]; (US) (US Seulement).
MATSUDA, Shigemasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
CRAVEN, Michael, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
DENBAARS, Steven, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
SPECK, Jame, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
NAKAMURA, Shuji [JP/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HASKELL, Benjamin, A.; (US).
FINI, Paul, T.; (US).
MATSUDA, Shigemasa; (JP).
CRAVEN, Michael, D.; (US).
DENBAARS, Steven, P.; (US).
SPECK, Jame, S.; (US).
NAKAMURA, Shuji; (US)
Mandataire : GATES, George, H.; Gates & Cooper LLP, 6701 Center Drive West, Suite 1050, Los Angeles, CA 90045 (US)
Données relatives à la priorité :
60/433,844 16.12.2002 US
60/433,843 16.12.2002 US
Titre (EN) GROWTH OF PLANAR, NON-POLAR A-PLANE GALLIUM NITRIDE BY HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY
(FR) CROISSANCE DE NITRURE DE GALLIUM A PLAN A NON POLAIRES ET A GEOMETRIE PLANAIRE PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR DE L'HYDRURE
Abrégé : front page image
(EN)Highly planar non-polar a-plane GaN films are grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The resulting films are suitable for subsequent device regrowth by a variety of growth techniques
(FR)L'invention concerne des films à base de GaN à plan A non polaires et à géométrie hautement planaire, lesquels films sont obtenus par épitaxie en phase vapeur de l'hydrure (HVPE). Les films ainsi obtenus conviennent à une reformation consécutive obtenue au moyen de diverses techniques de croissance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)