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1. (WO2004061944) RECYCLAGE D'UNE TRANCHE COMPRENANT UNE STRUCTURE MULTICOUCHES APRES L'ENLEVEMENT D'UNE COUCHE MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061944    N° de la demande internationale :    PCT/IB2004/000311
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 07.01.2004
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
GHYSELEN, Bruno [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
AULNETTE, Cécile [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
OSTERNAUD, Bénédicte [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
AKATSU, Takeshi [JP/FR]; (FR) (US Seulement).
LEVAILLANT, Yves, Matthieu [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : GHYSELEN, Bruno; (FR).
AULNETTE, Cécile; (FR).
OSTERNAUD, Bénédicte; (FR).
AKATSU, Takeshi; (FR).
LEVAILLANT, Yves, Matthieu; (FR)
Mandataire : MARTIN, Jean-Jacques; Cabinet Regimbeau, 20, rue de Chazelles, F-75847 Paris Cedex 17 (FR)
Données relatives à la priorité :
0300099 07.01.2003 FR
60/472,435 22.05.2003 US
Titre (EN) RECYCLING OF A WAFER COMPRISING A MULTI-LAYER STRUCTURE AFTER TAKING-OFF A THIN LAYER
(FR) RECYCLAGE D'UNE TRANCHE COMPRENANT UNE STRUCTURE MULTICOUCHES APRES L'ENLEVEMENT D'UNE COUCHE MINCE
Abrégé : front page image
(EN)Method of recycling a donor wafer (10) after having taken off a useful layer comprising a material chosen from semiconductor materials, the donor wafer (10) comprising successively a substrate (1) and a multi-layer structure (I), the multi-layer structure (I), before taking-off, comprising the useful layer to take off, the process comprising removal of substance on the side where the taking-off took place, characterized in that, after the removal of substance, at least a part of the multi-layer structure (I') remains, this at least part of the buffer structure (I') including at least one other useful layer that can be taken off, without a supplementary step of reforming a useful layer. This document also relates to: methods of taking-off a thin layer from at least one recyclable donor wafer (10) according to the invention, recyclable donor wafers (10) according to the invention.
(FR)L'invention concerne un procédé de recyclage d'une tranche donneuse (10) après l'enlèvement d'une couche utile comprenant un matériau choisi parmi plusieurs matériaux semi-conducteurs, la tranche donneuse (10) comprenant un substrat (1) et une structure multicouches (I) disposées les uns après les autres, la structure multicouches (I) comprenant, avant l'enlèvement, la couche utile destinée à être enlevée. Le processus comprend la suppression de la substance du côté où l'enlèvement de substance a eu lieu, caractérisé en ce qu'après la suppression de la substance au moins une partie de la structure multicouche (I') reste en place, ladite au moins une structure tampon (I') comprenant au moins une autre couche utile qui peut être enlevée, sans aucun stade supplémentaire de reformage d'une couche utile. Ce document se rapporte également aux procédés d'enlèvement d'une couche mince à partir d'au moins une couche de tranche donneuse recyclable (10) selon l'invention, et des tranches donneuses recyclables (10) selon l'invention.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)