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1. (WO2004061928) PROCEDE ET DISPOSITIF PERMETTANT DE GRAVER AU PLASMA UN FILM DE MATIERE ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061928    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/016818
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 25.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.06.2004    
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8001 (JP) (Tous Sauf US).
HONDA, Masanobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUYAMA, Shoichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGASEKI, Kazuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAYASHI, Hisataka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HONDA, Masanobu; (JP).
MATSUYAMA, Shoichiro; (JP).
NAGASEKI, Kazuya; (JP).
HAYASHI, Hisataka; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-380558 27.12.2002 JP
Titre (EN) METHOD AND DEVICE FOR PLASMA-ETCHING ORGANIC MATERIAL FILM
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF PERMETTANT DE GRAVER AU PLASMA UN FILM DE MATIERE ORGANIQUE
(JA) 有機系材料膜をプラズマエッチングするための方法および装置
Abrégé : front page image
(EN)A support electrode (2) and a counter electrode (16) constituting parallel flat-plate electrodes are disposed in a process container (1). A substrate (W) having an organic material film formed thereon is supported on the support electrode (2). High-frequency power, for forming plasma, having a frequency of at least 40 MHz is applied to this support electrode (2) to form a high-frequency field between the support electrode (2) and the counter electrode (16). A process gas is supplied into the process container (1) to form process gas plasma by means of the high-frequency field. This plasma is used to plasma-etch the organic material film on the substrate (W) with an inorganic material film as a mask. The process gas includes an ionization promoting gas, such as Ar, having an ionization energy from a normal state or an ionization energy from a metastable state of up to 10 eV and a maximum ionized sectional area of at least 2×1016 cm2.
(FR)Selon la présente invention, on dispose une électrode de support (2) et une contre-électrode (16) constituant des électrodes planes parallèles dans une cuve de traitement (1). Un substrat (W) sur lequel est formé un film de matière organique est soutenu par l'électrode de support (2). On applique une énergie haute fréquence destinée à former le plasma, d'une fréquence supérieure à 40 MHz au moins, à l'électrode de support (2) afin de former un champ haute fréquence entre l'électrode de support (2) et la contre-électrode (16). On introduit un gaz de traitement dans la cuve de traitement (1) afin de former un plasma de gaz de traitement au moyen du champ haute fréquence. On utilise ce plasma pour graver au plasma le film de matière organique sur le substrat (W) avec un film de matière inorganique comme masque. Le gaz de traitement comprend un gaz promoteur d'ionisation, tel que l'Ar, possédant une énergie d'ionisation à partir d'un état normal ou une énergie d'ionisation à partir d'un état métastable jusqu'à 10 eV et une surface de coupe ionisée maximale d'au moins 2 x 1016 cm2.
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)