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1. (WO2004061923) CRISTAL DE NITRURE DE GALLIUM, DISPOSITIFS A BASE DE NITRURE DE GALLIUM HOMOEPITAXIAL ET PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061923    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/041255
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 22.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.07.2004    
CIB :
C30B 25/02 (2006.01), C30B 9/00 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01), H01L 29/732 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 29/20 (2006.01)
Déposants : GENERAL ELECTRIC COMPANY [US/US]; 1 River Road, Schenectady, NY 12345 (US) (Tous Sauf US).
D'EVELYN, Mark, Philip [US/US]; (US) (US Seulement).
PARK, Dong-Sil [KR/US]; (US) (US Seulement).
LEBOEUF, Steven, Francis [US/US]; (US) (US Seulement).
ROWLAND, Larry, Burton [US/US]; (US) (US Seulement).
NARANG, Kristi, Jean [US/US]; (US) (US Seulement).
HONG, Huicong [CN/US]; (US) (US Seulement).
SANDVIK, Peter, Micah [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : D'EVELYN, Mark, Philip; (US).
PARK, Dong-Sil; (US).
LEBOEUF, Steven, Francis; (US).
ROWLAND, Larry, Burton; (US).
NARANG, Kristi, Jean; (US).
HONG, Huicong; (US).
SANDVIK, Peter, Micah; (US)
Mandataire : GNIBUS, Michael; General Electric Company, 3135 Easton Turnpike (W3C), Fairfield, CT 06828 (US)
Données relatives à la priorité :
10/329,981 27.12.2002 US
10/329,982 27.12.2002 US
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, HOMOEPITAXIAL GALLIUM-NITRIDE-BASED DEVICES AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CRISTAL DE NITRURE DE GALLIUM, DISPOSITIFS A BASE DE NITRURE DE GALLIUM HOMOEPITAXIAL ET PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE
Abrégé : front page image
(EN)A device which includes at least one epitaxial semiconductor layer disposed on a single crystal substrate comprised of gallium nitride having a dislocation density less than about 104 per cm2, substantially no tilt boundaries, and an oxygen impurity level of less than 1019 cm-3. The electronic device may be in the form of lighting applications such as light emitting diode (LED) and laser diode (LD) applications and devices such as GaN based transistors, rectifiers, thyristors, and cascode switches, and the like. Also provided is a method of forming a single crystal substrate comprised of gallium nitride having a dislocation density less than about 104 per cm2, substantially no tilt boundaries, and an oxygen impurity level of less than 1019 cm-3, and homoepitaxially forming at least one semiconductor layer on the substrate and an. electronic device.
(FR)L'invention concerne un dispositif qui comporte au moins une couche semi-conductrice épitaxiale disposée sur un substrat de cristal unique comprenant du nitrure de gallium. Ledit cristal présente une densité de dislocation inférieure à environ 104 par cm2, est sensiblement dépourvu de joints de flexion, et présente un niveau d'impuretés d'oxygène inférieur à environ 1019 cm-3. Le dispositif électronique peut se présenter sous forme d'applications d'éclairage de type diode électroluminescente (DEL) et diode laser (LD), et de dispositifs de type transistors, redresseurs, thyristors, et commutateurs cascode à base de GaN, et analogues. L'invention concerne également un procédé de formation d'un substrat de cristal unique comprenant du nitrure de gallium, qui présente une densité de dislocation inférieure à environ 104 par cm2, qui est sensiblement dépourvu de joints de flexion, et qui présente un niveau d'impuretés d'oxygène inférieur à environ 1019 cm-3; et un procédé de formation d'au moins une couche semi-conductrice sur le substrat de manière homoépitaxiale ainsi qu'un dispositif électronique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)