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1. (WO2004061921) SILICIUM CONTRAINT SUR ISOLANT (SSOI) ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061921    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/038334
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 02.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.06.2004    
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US)
Inventeurs : COHEN, Guy, M.; (US).
CHRISTIANSEN, Silke, H.; (DE)
Mandataire : SAI-HALASZ, George; 303 Taber Avenue, Providence, RI 02906 (US)
Données relatives à la priorité :
10/326,437 19.12.2002 US
Titre (EN) STRAINED SILICON-ON-INSULATOR (SSOI) AND METHOD TO FORM THE SAME
(FR) SILICIUM CONTRAINT SUR ISOLANT (SSOI) ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating a strained Si layer on insulator, a structure of the strained Si layer on insulator, and electronic systems comprising such layers are disclosed. The method comprises the steps of forming epitaxially a relaxed SiGe layer on top of a Si layer on insulator; transforming the crystalline Si layer and the lower portion of the crystalline relaxed SiGe layer into an amorphous material state by ion implantation; and re-crystallizing the amorphous material from the crystalline top portion of the SiGe layer. The larger lattice constant of the SiGe seed layer forces a tensile strain in the Si layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'une couche à base de silicium contraint, les dispositifs produits dans cette couche et des systèmes électroniques comprenant de telles couches et dispositifs. Ce procédé comporte les étapes de croissance épitaxiale d'une couche SiGe sur un substrat et la création d'une concentration de Ge variable dans cette couche SiGe. La concentration de Ge dans la couche SiGe contient une zone de dépassement de Ge unique, où la concentration augmente de façon significative et soudaine. La couche à base de Si est déposée épitaxialement sur la couche SiGe et devient résistante à la traction. Selon l'invention, la couche à base de Si contraint, généralement du Si ou du SiGe, peut être transférée à un substrat non épitaxé différent ou à un isolant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)