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1. (WO2004061915) INTEGRATION DE TRANSISTORS A GRILLE METALLIQUE DU TYPE N ET DU TYPE P
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061915    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/039914
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 15.12.2003
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : DOCZY, Mark; (US).
KEATING, Steven; (US).
KAVALIEROS, Jack; (US).
DOYLE, Brian; (US).
BARNS, Chris; (US).
BARNAK, John; (US).
MCSWINEY, Michael; (US).
BRASK, Justin; (US)
Mandataire : MALLIE, Michael, J.; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
10/327,293 20.12.2002 US
Titre (EN) INTEGRATING N-TYPE AND P-TYPE METAL GATE TRANSISTORS
(FR) INTEGRATION DE TRANSISTORS A GRILLE METALLIQUE DU TYPE N ET DU TYPE P
Abrégé : front page image
(EN)At least a p-type and n-type semiconductor device deposited upon a semiconductor wafer containing metal or metal alloy gates. More particularly, a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) device is formed on a semiconductor wafer having n-type and p-type metal gates.
(FR)L'invention concerne au moins un dispositif à semi-conducteur du type P et du type N déposé sur une plaquette de semi-conducteur contenant des grilles métalliques ou en alliage métallique. D'une manière plus spécifique, un dispositif CMOS est formé sur une plaquette de semi-conducteur contenant des grilles métalliques du type N et du type P.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)