Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2004061914 - CHAMBRE PERMETTANT DE CHAUFFER UN SUBSTRAT DE MANIERE UNIFORME

Numéro de publication WO/2004/061914
Date de publication 22.07.2004
N° de la demande internationale PCT/US2003/039783
Date du dépôt international 15.12.2003
CIB
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
CPC
H01L 21/67109
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67109mainly by convection
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • INAGAWA, Makoto
  • HOSOKAWA, Akihiro
Mandataires
  • DUGAN, Brian, M.
Données relatives à la priorité
60/434,06417.12.2002US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CHAMBER FOR UNIFORM SUBSTRATE HEATING
(FR) CHAMBRE PERMETTANT DE CHAUFFER UN SUBSTRAT DE MANIERE UNIFORME
Abrégé
(EN)
In a first aspect, a first apparatus is provided for heating substrates. The first apparatus includes (1) a chamber having a bottom portion and a top portion; (2) a plurality of heated supports disposed within the chamber to support at least two substrates thereon; and (3) a heater disposed within the chamber between a sidewall of the chamber and the plurality of substrate supports and having an edge region and a center region. The heater is adapted to produce more heat within the edge region than within the center region of the heater. Numerous other aspects are provided.
(FR)
Selon un premier aspect, l'invention concerne un premier appareil servant à chauffer des substrats. Le premier appareil comprend: (1) une chambre comportant une partie inférieure et une partie supérieure; (2) une pluralité de supports chauffés disposés dans la chambre afin de supporter au moins deux substrats; et (3) un dispositif de chauffe disposé dans la chambre entre une paroi latérale de la chambre et les nombreux supports de substrat et comportant une région de bord et une région centrale. Le dispositif de chauffe est conçu pour produire plus de chaleur dans la région de bord que dans la région centrale du dispositif de chauffe. Plusieurs autres aspects sont également présentés.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international