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1. (WO2004061911) DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEUR A DEFAUTS REDUITS EN ZONE ACTIVE ET SCHEMAS DE CONTACT UNIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061911    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/037786
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 26.11.2003
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : AGERE SYSTEMS INC. [US/US]; 1110 American Parkway NE, Allentown, PA 18109 (US)
Inventeurs : BUDE, Jeffrey, Devin; (US).
CARROLL, Malcolm; (US).
KING, Clifford, Alan; (US)
Mandataire : BOTOS, Richard, J.; Agere System Inc., 4 Connell Drive, Berkeley Heights, NJ 07922-2747 (US)
Données relatives à la priorité :
60/434,359 18.12.2002 US
10/453,037 03.06.2003 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES WITH REDUCED ACTIVE REGION DEFECTS AND UNIQUE CONTACTING SCHEMES
(FR) DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEUR A DEFAUTS REDUITS EN ZONE ACTIVE ET SCHEMAS DE CONTACT UNIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A method of making a semiconductor device having a predetermined epitaxial region, such as an active region, with reduced defect density includes the steps of: (a) forming a dielectric cladding region on a major surface of a single crystal body of a first material; (b) forming a first opening that extends to a first depth into the cladding region; (c) forming a smaller second opening, within the first opening, that extends to a second depth greater than the first depth and that exposes an underlying portion of the major surface of the single crystal body; (d) epitaxially growing regions of a second semiconductor material in each of the openings and on the top of the cladding region; (e) controlling the dimensions of the second opening so that defects are confined to the epitaxial regions grown within the second opening and on top of the cladding region, a first predetermined region being located within the first opening and being essentially free of defects; (f) planarizing the top of the device to remove all epitaxial regions that extend above the top of the cladding layer, thereby making the top of the first predetermined region grown in the second opening essentially flush with the top of the cladding region; and (g) performing additional steps to complete the fabrication of the device. Also described are unique devices, such as photodetectors and MOSFETs, fabricated by this method, as well as unique contacting configurations that enhance their performance.
(FR)L'invention concerne un procédé d'élaboration de dispositif à semiconducteur ayant une région épitaxiale préétablie, du type zone active, à densité de défauts réduite, qui comprend les étapes suivantes: (a) formation d'une région de revêtement diélectrique sur une surface majeure de corps monocristallin en premier matériau; (b) formation d'une première ouverture qui s'étend à une première profondeur dans la région de revêtement; (c) formation d'une seconde ouverture de plus petite taille, dans la première ouverture, qui s'étend à une seconde profondeur supérieure à la première, et qui expose une partie sous-jacente de la surface majeure du corps monocristallin; (d) croissance épitaxiale de zones en second matériau semiconducteur dans chaque ouverture et au sommet de la région de revêtement; (e) contrôle des dimensions de la seconde ouverture de manière à confiner les défauts aux régions épitaxiales développées dans la seconde ouverture et au sommet de la région de revêtement, une première région préétablie étant située dans la première ouverture et étant essentiellement dépourvue de défauts; (f) planarisation du sommet du dispositif pour éliminer toutes les régions épitaxiales qui s'étendent au-delà du sommet de la couche de revêtement, alignant essentiellement le sommet de la première région préétablie dans la seconde ouverture avec le sommet de la région de revêtement; et (g) exécution d'étapes additionnelles pour achever la fabrication du dispositif. L'invention concerne également des dispositifs uniques, du type photodétecteurs et transistors MOS, élaborés selon le procédé, et des configurations de contact uniques permettant d'en améliorer les performances.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)