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1. WO2004061906 - METHODE DE FABRICATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ORGANIQUES

Numéro de publication WO/2004/061906
Date de publication 22.07.2004
N° de la demande internationale PCT/US2003/040469
Date du dépôt international 18.12.2003
CIB
H01L 51/30 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30Emploi de matériaux spécifiés
H01L 51/40 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
40Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 51/0024
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0024for forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination technique
H01L 51/0036
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0034Organic polymers or oligomers
0035comprising aromatic, heteroaromatic, or arrylic chains, e.g. polyaniline
0036Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
H01L 51/0051
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0051Charge transfer complexes
H01L 51/0078
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0077Coordination compounds, e.g. porphyrin
0078Phthalocyanine
H01L 51/0084
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0077Coordination compounds, e.g. porphyrin
0084Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
H01L 51/0516
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0516characterised by the gate dielectric
Déposants
  • MOTOROLA, INC., A CORPORATION OF THE STATE OF DELAWARE [US]/[US]
Inventeurs
  • ZHANG, Jie,
  • GAMOTA, Daniel,
  • ZHANG, Min-Xian,
  • BRAZIS, Paul,
  • KALYANASUNDARAM, Krishna,
Mandataires
  • NICHOLS, Daniel K.,
Données relatives à la priorité
10/329,59526.12.2002US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF FABRICATING ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTORS
(FR) METHODE DE FABRICATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ORGANIQUES
Abrégé
(EN)
Organic field effect transistors (OFETs) can be created rapidly and at low cost on organic films by using a multilayer film (202) that has an electrically conducting layer (204, 206) on each side of a dielectric core. The electrically conducting layer is patterned to form gate electrodes (214), and a polymer film (223) is attached onto the gate electrode side of the multilayer dielectric film, using heat and pressure (225) or an adhesive layer (228). A source electrode and a drain electrode (236) are then fashioned on the remaining side of the multilayer dielectric film, and an organic semiconductor (247) is deposited over the source and drain electrodes, so as to fill the gap between the source and drain electrodes and touch a portion of the dielectric film to create an organic field effect transistor.
(FR)
L'invention concerne des transistors à effet de champ organiques (OFET) pouvant être créés rapidement et à moindre coût sur des films organiques au moyen d'un film multicouche (202) présentant une couche électriquement conductrice (204, 206) située de chaque côté d'un noyau diélectrique. La couche électriquement conductrice porte des motifs pour former des électrodes de grille (214), et un film polymère (223) est fixé sur le côté de l'électrode de grille du film diélectrique multicouche, au moyen de chaleur et de pression (225) ou d'une couche adhésive (228). Une électrode de source et une électrode de drain (236) sont situées de l'autre côté du film diélectrique multicouche, et un semi-conducteur organique (247) est déposé sur l'électrode de source et sur l'électrode de drain, de sorte à remplir l'espace situé entre l'électrode de source et l'électrode de drain, et à être en contact avec une partie du film diélectrique pour créer un transistor à effet de champ organique.
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