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1. (WO2004061896) PROCEDE ET DISPOSITIF PERMETTANT DE PRODUIRE DE GRANDS MONOCRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061896    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/014579
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 07.05.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.07.2004    
CIB :
C30B 11/00 (2006.01)
Déposants : CRYSTAL IS, INC. [US/US]; 25 Cord Drive, Latham, NY 12110 (US)
Inventeurs : SCHOWALTER, Leo, J.; (US).
SLACK, Glen, A.; (US).
ROJO, J., Carlos; (US)
Mandataire : SAMPSON, Richard, L.; Sampson & Associates, P.C., 50 Congress Street, Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
10/324,998 20.12.2002 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING MONOCRYSTALLINE AIN
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF PERMETTANT DE PRODUIRE DE GRANDS MONOCRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for producing bulk single crystals (7) of AIN includes a crystal growth enclosure (9) with Al and N2 source (11) material therein, capable of forming bulk crystals. The apparatus maintains the N2 partial pressure at greater than stoichiometric pressure relative to the Al within the crystal growth enclosure (9), while maintaining the total vapor pressure in the crystal growth enclosure (9) at super-atmospheric pressure. At least one nucleation site (19) is provided in the crystal growth enclosure (9), and provision is made for cooling the nucleation site relative to other locations in the crystal growth enclosure (9). The Al and N2 vapor is then deposited to grow single crystalline AIN (7) at the nucleation site (19).
(FR)L'invention concerne un procédé et un dispositif permettant de produire des cristaux massifs d'AlN. Le dispositif comprend une enceinte de croissance cristalline contenant une source d'Al et de N2, capables de former des cristaux massifs. Ce dispositif maintient la pression partielle de N2 à un niveau plus élevé que la pression stoechiométrique, relativement à l'Al, à l'intérieur de l'enceinte de croissance cristalline, tout en maintenant la pression de vapeur totale dans l'enceinte à un niveau supra-atmosphérique. L'enceinte de croissance cristalline contient au moins un site de nucléation, ainsi que des moyens permettant de refroidir le site de nucléation relativement à d'autres emplacements de l'enceinte. De la vapeur d'Al et de N2 est ensuite déposée afin de provoquer la croissance d'AlN monocristallin dans le site de nucléation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)