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1. (WO2004061891) SOURCE D'ELECTRONS DE TYPE A EMISSION DE CHAMP ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061891    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/016860
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 26.12.2003
CIB :
H01J 1/304 (2006.01), H01J 31/12 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC WORKS, LTD. [JP/JP]; 1048, Oaza-Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 571-8686 (JP) (Tous Sauf US).
ICHIHARA, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOMODA, Takuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AIZAWA, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HONDA, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
BABA, Toru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ICHIHARA, Tsutomu; (JP).
KOMODA, Takuya; (JP).
AIZAWA, Koichi; (JP).
HONDA, Yoshiaki; (JP).
BABA, Toru; (JP)
Mandataire : KAWAMIYA, Osamu; Aoyama & Partners, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 540-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-381944 27.12.2002 JP
Titre (EN) FIELD EMISSION-TYPE ELECTRON SOURCE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
(FR) SOURCE D'ELECTRONS DE TYPE A EMISSION DE CHAMP ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)A field emission-type electron source has a plurality of electron source elements (10a) formed on the side of one surface (front surface) of an insulative substrate (11) composed of a glass substrate. Each of electron source elements (10a) includes a lower electrode (12), a buffer layer (14) composed of an amorphous silicon layer formed on the lower electrode (12), a polycrystalline silicon layer (3) formed on the buffer layer (14), a strong-field drift layer (6) formed on the polycrystalline silicon layer (3), and a surface electrode (7) formed on the strong-field drift layer (6). The field emission-type electron source can achieved reduced in-plain variation in electron emission characteristics.
(FR)La présente invention a trait à une source d'électrons du type à émission de champ comportant une pluralité d'éléments de source d'électrons (10a) formés sur un côté d'une surface (surface avant) d'un substrat isolant (11) constitué d'un substrat en verre. Chacun des éléments de source d'électrons (10a) comporte une électrode inférieure (12), une couche tampon (14) constituée d'une couche de silicium amorphe formée sur l'électrode inférieure (12), une couche de silicium polycristallin (3) formée sur la couche tampon (14), une couche de migration à champ fort (6) formée sur la couche de silicium polycristallin (3), et une électrode de surface (7) formée sur la couche de migration à champ fort (6). La source d'électrons de type à émission de champ peut réaliser une variation dans le plan réduite dans les caractéristiques d'émission d'électrons.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)