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1. (WO2004061882) ARCHITECTURE DE COMMUTATION UTILISANT DES COMMUTATEURS MEMS ET DES COMMUTATEURS A SEMI-CONDUCTEUR EN PARALLELE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061882    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/038217
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 03.12.2003
CIB :
H01H 1/00 (2006.01), H01H 9/54 (2006.01), H01H 59/00 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : ZIPPER, Eliav; (IL).
MA, Qing; (US)
Mandataire : MALLIE, Michael, J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
10/322,290 17.12.2002 US
Titre (EN) SWITCH ARCITECTURE USING MEMS SWITCHES AND SOLID STATE SWITCHES IN PARALLEL
(FR) ARCHITECTURE DE COMMUTATION UTILISANT DES COMMUTATEURS MEMS ET DES COMMUTATEURS A SEMI-CONDUCTEUR EN PARALLELE
Abrégé : front page image
(EN)In a switching scheme mechanical MEMs switches are connected in parallel with solid state switches. This parallel MEMs/solid-state switch arrangement takes advantage of the fast switching speeds of the solid state switches as well advantage of the improved insertion loss and isolation characteristics of the MEMs switches. The solid-state switches only need to be energized during a ramp up/down period associated with the slower MEMs switch thus conserving power. As an additional advantage, using a solid-state switch in parallel with MEMs switches improves the transient spectrum of the system during switching operations.
(FR)L'invention concerne un plan de commutation dans lequel des commutateurs MEMS sont connectés en parallèles avec des commutateurs à semi-conducteur. Cette installation de commutateurs MEMS/à semi-conducteur en parallèle tire profit des vitesses de commutation rapides des commutateurs à semi-conducteur ainsi que des caractéristiques améliorées des commutateurs MEMS pour ce qui concerne l'affaiblissement d'insertion et l'isolation. Les commutateurs à semi-conducteur nécessitent d'être alimentés uniquement pendant la période d'accélération/décélération associée au commutateur MEMS plus lent, ce qui permet de conserver la puissance. De plus, l'utilisation d'un commutateur à semi-conducteur en parallèle avec des commutateurs MEMS permet d'améliorer le spectre transitoire du système pendant les opérations de commutation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)