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1. (WO2004061854) DISPOSITIF DE MEMOIRE SEMI-CONDUCTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061854    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/016981
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 26.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.12.2003    
CIB :
G11C 11/15 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 108-0014 (JP) (Tous Sauf US).
HONDA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKIMURA, Noboru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUGIBAYASHI, Tadahiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HONDA, Takeshi; (JP).
SAKIMURA, Noboru; (JP).
SUGIBAYASHI, Tadahiko; (JP)
Mandataire : YAMASHITA, Johei; Yamashita & Associates, Toranomon 40th MT Bldg., 13-1, Toranomon 5-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-455 06.01.2003 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 半導体記憶装置
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor memory device in which information is written in a memory element by applying current. An increase in the time for a write current to reach a predetermined value attributed to a parasitic capacitor is prevented. Therefore, the write rate is increased, and the power consumption is reduced. The semiconductor memory device comprises a memory element for storing information, a constant current source (103) provided for writing information in the memory element by applying current, and a boost circuit (101) disposed in a predetermined position related to the memory element and adapted for charging a parasitic capacitor until the amount of current applied by the constant current source reaches the amount of current required to write information in the memory element.
(FR)L'invention concerne un dispositif de mémoire semi-conductrice dans lequel l'information est écrite dans un élément de mémoire par application d'un courant. On empêche une augmentation du temps afin qu'un courant d'écriture atteigne une valeur déterminée attribuée à un condensateur parasite. Ainsi, on augmente le taux d'écriture, et la puissance consommée est réduite. Le dispositif de mémoire semi-conductrice comprend un élément mémoire de stockage d'information, une source de courant constante (103) mise en oeuvre pour l'information d'écriture par application du courant, et un circuit rehausseur (101) disposé dans une position déterminée par rapport à l'élément mémoire et adaptée pour charger le condensateur parasite jusqu'à la quantité de courant appliquée par la source de courant constant atteigne la quantité de courant requise pour écrire une information dans l'élément mémoire.
(JA)本発明は、電流を流すことにより記憶素子に情報を書き込む半導体記憶装置に関する。本発明は、寄生キャパシタにより書込電流が所定値に達するまでの時間が長引くことを防止することにより、書込み速度を速め、消費電力を削減することを目的とする。情報を記憶する記憶素子と、電流を流すことにより前記記憶素子に情報を書き込むために設けられた定電流源103と、前記記憶素子に関連した所定位置において、前記定電流源により流された電流の量が前記記憶素子に情報を書き込むために必要な電流の量に達するまでの間に、寄生キャパシタを充電するためのブースト回路101と、を備える。
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)