WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2004061526) COMPOSITION PERMETTANT DE FORMER UN MATERIAU DE REMPLISSAGE D'ESPACES ALCALINO-SOLUBLE POUR LITHOGRAPHIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061526    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/016735
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 25.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.07.2004    
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kandanishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0054 (JP) (Tous Sauf US).
TAKEI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHII, Kazuhisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ARASE, Shinya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKEI, Satoshi; (JP).
ISHII, Kazuhisa; (JP).
ARASE, Shinya; (JP)
Mandataire : HANABUSA, Tsuneo; c/o Hanabusa Patent Office, Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0062 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-376781 26.12.2002 JP
Titre (EN) ALKALI-SOLUBLE GAP FILLING MATERIAL FORMING COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY
(FR) COMPOSITION PERMETTANT DE FORMER UN MATERIAU DE REMPLISSAGE D'ESPACES ALCALINO-SOLUBLE POUR LITHOGRAPHIE
(JA) アルカリ溶解型リソグラフィー用ギャップフィル材形成組成物
Abrégé : front page image
(EN)A gap filling material forming composition for lithography that is used in the dual damascene process and can contribute toward enhancement of production efficiency. In particular, a gap filling material forming composition used in the production of a semiconductor device according to a technique comprising providing a substrate having holes whose aspect ratio (height/diameter) is 1 or higher, coating the substrate with a photoresist and transferring an image onto the substrate by the use of lithography process, which gap filling material forming composition is applied onto the substrate before the photoresist coating and is characterized in that the gap filling material forming composition comprises a hydroxylated or carboxylated polymer and a crosslinking agent. With respect to a gap filling material layer obtained from the gap filling material forming composition, an etch back with an aqueous alkali solution can be effected.
(FR)L'invention concerne une composition permettant de former un matériau de remplissage pour lithographie, convenant pour le procédé « dual damascene » et pouvant contribuer à améliorer l'efficacité de production. Elle concerne en particulier une composition formant un matériau de remplissage d'espaces utilisé pour la production d'un dispositif semi-conducteur selon une technique consistant à prendre un substrat comportant des trous dont le rapport de forme (hauteur/diamètre) est égal ou supérieur à 1, à recouvrir le substrat avec une résine photosensible, et à transférer une image sur le substrat au moyen d'un procédé de lithographie, la composition formant le matériau de remplissage d'espaces étant appliquée sur le substrat avant l'application de la résine photosensible. Cette composition formant un matériau de remplissage est caractérisée en ce qu'elle contient un polymère hydroxylé ou carboxylé, et un agent de réticulation. La couche de matériau de remplissage d'espaces formée avec la composition de formation de matériau de remplissage peut être traitée au moyen d'un procédé d'amincissement avec une solution aqueuse alcaline.
(JA)デュアルダマシンプロセスに使用され、生産効率の向上に寄与するリソグラフィー用ギャップフィル材形成組成物を提供する。 具体的には、高さ/直径で示されるアスペクト比が1以上のホールを有する基板にフォトレジストを被覆しリソグラフィープロセスを利用して基板上に画像を転写する方法による半導体装置の製造において使用され、フォトレジストを被覆する前の該基板に被覆される、水酸基又はカルボキシル基を有するポリマー及び架橋剤を含有することを特徴とするギャップフィル材形成組成物である。かかるギャップフィル材形成組成物から得られたギャップフィル材層はアルカリ水溶液によるエッチバックが可能である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)