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1. (WO2004061162) BAINS DE DEPOT GALVANOPLASTIQUE POUR DEPOT ELECTROCHIMIQUE OU CHIMIQUE D'INTERCONNEXIONS DE CUIVRE, ET PROCEDE S'Y RAPPORTANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061162    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/035398
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 07.11.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.07.2004    
CIB :
C23C 16/00 (2006.01), C25D 3/38 (2006.01)
Déposants : 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY [US/US]; 3M Center, Post Office Box 33427, Saint Paul, MN 55133-3427 (US)
Inventeurs : BOYD, Steven, D.; (US).
KESARI, Susrut; (US).
LAMANNA, William, M.; (US).
PARENT, Michael, J.; (US).
ZAZZERA, Lawrence, A.; (US).
ZHANG, Haiyan; (US)
Mandataire : BOEDER, Jennie, G.; Office of Intellectual Property Counsel, Post Office Box 33427, Saint Paul, MN 55133-3427 (US).
MEYERS, Hans-Wilhem; P.O.Box 102241, 50462 Köln (DE)
Données relatives à la priorité :
10/320,263 16.12.2002 US
Titre (EN) PLATING SOLUTIONS FOR ELECTROCHEMICAL OR CHEMICAL DEPOSITION OF COPPER INTERCONNECTS AND METHODS THEREFOR
(FR) BAINS DE DEPOT GALVANOPLASTIQUE POUR DEPOT ELECTROCHIMIQUE OU CHIMIQUE D'INTERCONNEXIONS DE CUIVRE, ET PROCEDE S'Y RAPPORTANT
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides plating solutions having either copper bis(perfluoroalkanesulfonyl) imides or copper tris(perfluoroalkanesulfonyl) methides and methods of electrochemically or chemically depositing copper interconnects using these plating solutions.
(FR)La présente invention concerne des bains de dépôt galvanoplastique comprenant soit des bis(perfluoroalcanesulfonyl)imides de cuivre, soit des tris(perfluoroalcanesulfonyl)méthides. Elle concerne également des procédés de dépôt électrochimique ou chimique d'interconnexions de cuivre utilisant ces bains de dépôt galvanoplastique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)