WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2004061153) SYSTEMES DE PULVERISATION AU MAGNETRON CONTENANT DES SYSTEMES DE DISTRIBUTION DE GAZ ANODIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061153    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/039433
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 11.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.07.2004    
CIB :
C23C 14/35 (2006.01), C23C 14/56 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : CARDINAL CG COMPANY [US/US]; 775 Prairie Center Drive, Suite 200, Eden Prairie, MN 55344 (US) (Tous Sauf US).
HARTIG, Klaus [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HARTIG, Klaus; (US)
Mandataire : DOLAN, John, F.; Fredrikson & Byron, P.A., 4000 Pillsbury Center, 200 South Sixth Street, Minneapolis, MN 55402-1425 (US).
SNUSTAD, Eric, J.; Fredrikson & Byron, P.A., Suite 4000, 2000 South Sixth Street, Minneapolis, MN 55402-1425 (US)
Données relatives à la priorité :
10/323,703 18.12.2002 US
Titre (EN) MAGNETRON SPUTTERING SYSTEMS INCLUDING ANODIC GAS DISTRIBUTION SYSTEMS
(FR) SYSTEMES DE PULVERISATION AU MAGNETRON CONTENANT DES SYSTEMES DE DISTRIBUTION DE GAZ ANODIQUES
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a megnetron sputtering system using a gas distribution system which also serves as a source of anodic charge to generate plasma field. The sputtering system is comprised of a vacuum chamber, a cathode target of sputterable material, a power source which supplies positive and negative charge, and a gas distribution system. The gas distribution system may comprise a simple perforated gas delivery member, or it may comprise a perforated gas delivery member with an attached conductive anodic surface. The gas delivery member may also contain an inner conduit with further perforations which serves to baffle flow of the sputtering gas. Gas flow may be regulated within discrete portions of the gas distribution system. The anodic surfaces of the gas distribution system are cleaned through the action of plasma and gas flow, creating a more stable plasma and reducing the need for maintenance.
(FR)Cette invention se rapporte à un système de pulvérisation au magnétron utilisant un système de distribution de gaz qui sert également de source de charge anodique pour produire un champ de plasma. Ce système de pulvérisation est constitué par une chambre sous vide, par une cathode cible du matériau pulvérisable, par une source d'énergie qui fournit une charge positive et négative et par un système de distribution de gaz. Ce système de distribution de gaz peut comporter un élément d'apport de gaz perforé simple ou un élément d'apport de gaz perforé auquel est liée une surface anodique conductrice. L'élément d'apport de gaz peut également contenir un conduit interne pourvu d'autres perforations qui servent de chicane pour l'écoulement du gaz de pulvérisation. L'écoulement de gaz peut être régulé dans des parties séparées du système de distribution de gaz. Les surfaces anodiques du système de distribution de gaz sont nettoyées par l'action du plasma et de l'écoulement de gaz, ce qui crée un plasma plus stable et réduit les besoins de maintenance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)