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1. (WO2004061152) CIBLE A MAGNETRON PULSE POUR PULVERISATION CATHODIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061152    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/036635
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 13.11.2003
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : SAIGAL, Dinesh; (US).
FORSTER, John, C.; (US).
LAI, Shuk, Ying; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 12400 Wilshire Boulevard, 7th floor, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
10/322,230 17.12.2002 US
Titre (EN) PULSED MAGNETRON TARGET FOR SPUTTER DEPOSITION
(FR) CIBLE A MAGNETRON PULSE POUR PULVERISATION CATHODIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is directed to sputter depositing a metal layer by biasing a sputter target with pulsed power in which the power applied to the target alternates between low and high levels. The high levels are, in one embodiment, sufficiently high to maintain a plasma for ionizing deposition material. The low levels are, in one embodiment, sufficiently low such that the power applied to the target during the high and low levels is, on average, low enough to facilitate deposition of thin layers if desired.
(FR)L'invention concerne un procédé de pulvérisation cathodique d'une couche de métal par polarisation d'une cible de pulvérisation avec une énergie pulsée, dans lequel l'énergie appliquée à la cible alterne entre des niveaux bas et élevés. Dans un mode de réalisation, les niveaux bas sont suffisamment élevés pour maintenir un plasma pour une matière de dépôt par ionisation. Dans un autre mode de réalisation, les niveaux bas sont suffisamment bas, de sorte que l'énergie appliquée à la cible, lors des niveaux élevés et bas, est, en moyenne, suffisamment basse pour faciliter le dépôt de couches fines, si nécessaire.
États désignés : JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)