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1. (WO2004060829) COMPOSITION DE CERAMIQUE FRITTEE A BASSE TEMPERATURE S'UTILISANT POUR DES HAUTES FREQUENCES, SON PROCEDE DE FABRICATION ET COMPOSANT ELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/060829    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/016559
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 24.12.2003
CIB :
C04B 35/20 (2006.01), H01B 3/12 (2006.01)
Déposants : NIKKO COMPANY [JP/JP]; 383, Ainoki-Machi, Matto-shi, Ishikawa-ken 924-8686 (JP) (Tous Sauf US).
KIDANI, Naoki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIZUSHIMA, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKIMOTO, Mikio [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KIDANI, Naoki; (JP).
MIZUSHIMA, Kiyoshi; (JP).
TAKIMOTO, Mikio; (JP)
Mandataire : OHIE, Kunihisa; OHIE Patent Office, Horiguchi No.2 Bldg. 7F, 2-6, Nihonbashi-Ningyocho, Chuo-ku, Tokyo 103-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-380096 27.12.2002 JP
Titre (EN) LOW TEMPERATURE SINTERING CERAMIC COMPOSITION FOR USE IN HIGH FREQUENCY, METHOD OF FABRICATING THE SAME AND ELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSITION DE CERAMIQUE FRITTEE A BASSE TEMPERATURE S'UTILISANT POUR DES HAUTES FREQUENCES, SON PROCEDE DE FABRICATION ET COMPOSANT ELECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A low temperature sintering ceramic composition that can be sintered at a temperature equal to or less than 1000 °C and has low dielectric constant and dielectric loss in a high frequency region of 17 GHz or more, an electronic component using the same and a method of fabricating the low temperature sintering ceramic are provided. The composition comprises MgO and Si02 in sum total in the range of from 64.0 to 99.2 % by mass; Bi203 in the range of from 0.4 to 33.0 % by mass; Li20 in the range of from 0.4 to 3.0 % by mass; and MgO and Si02 are contained in the molar ratio of from 2: 1 to 2: 3.5, at least part thereof being contained as a complex oxide of Mg and Si.
(FR)Composition de céramique frittée à basse température, à savoir une température égale ou inférieure à 1000 °C, possédant une constante diélectrique et une perte diélectrique basses dans une zone de haute fréquence égale ou supérieure à 17 GHz, composant électronique constitué par cette céramique et son procédé de fabrication. Cette composition comprend MgO et Si02 dont la totalité de la somme est située dans une plage de 64 à 99,2 % massique; Bi203 dans une plage de 0,4 à 33 % massique ; Li20 dans une plage de 0,4 à 3 % massique; et MgO et Si02 étant contenus dans un rapport molaire de 2:1 à 2:3,5, dont au moins une partie se présente sous la forme d'un oxyde complexe de Mg et Si.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)