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1. (WO2004060548) APPAREIL HAUTE PRESSION/HAUTE TEMPERATURE A COMMANDE DE TEMPERATURE AMELIOREE POUR LA CROISSANCE DE CRISTAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/060548    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/038687
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 05.12.2003
CIB :
B01J 3/06 (2006.01)
Déposants : GENERAL ELECTRIC COMPANY [US/US]; 1 River Road, Schenectady, NY 12345 (US) (Tous Sauf US).
D'EVELYN, Mark Philip [US/US]; (US) (US Seulement).
LEONELLI, Robert, Vincent, Jr. [US/US]; (US) (US Seulement).
ALLISON, Peter, Sam [US/US]; (US) (US Seulement).
NARANG, Kristi, Jean [US/US]; (US) (US Seulement).
GIDDINGS, Robert, Arthur [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : D'EVELYN, Mark Philip; (US).
LEONELLI, Robert, Vincent, Jr.; (US).
ALLISON, Peter, Sam; (US).
NARANG, Kristi, Jean; (US).
GIDDINGS, Robert, Arthur; (US)
Mandataire : WINTER, Catherine, J.; General Electric Company, 3135 Easton Turnpike (W3C), Fairfield, CT 06828 (US)
Données relatives à la priorité :
60/435,189 18.12.2002 US
10/699,504 31.10.2003 US
Titre (EN) HIGH PRESSURE APPARATUS FOR CRYSTAL GROWTH
(FR) APPAREIL HAUTE PRESSION/HAUTE TEMPERATURE A COMMANDE DE TEMPERATURE AMELIOREE POUR LA CROISSANCE DE CRISTAUX
Abrégé : front page image
(EN)A high temperature/high pressure (HP/HT) apparatus for converting feedstock housed in a capsule into product crystals, comprising at least two electrical heating paths for independent control of both the mean temperature in the reaction cell and the temperature gradient across the reaction cell.
(FR)L'invention concerne un appareil haute température/haute pression pour la conversion, sous forme de cristaux, d'une charge logée dans une capsule. L'appareil comprend au moins deux trajets électriques chauffants qui assurent une commande indépendante à la fois pour la température moyenne dans la cellule de réaction et le gradient de température aux bornes de celle-ci.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)