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1. (WO2004059842) COMMUTATEUR SERIE/PARALLELE ET MODES DE FONCTIONNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2004/059842 N° de la demande internationale : PCT/US2003/039955
Date de publication : 15.07.2004 Date de dépôt international : 16.12.2003
CIB :
H03K 17/687 (2006.01)
Déposants : M/A-COM, INC.[US/US]; 1011 Pawtucket Blvd. Lowell, MA 01853, US
Inventeurs : BRINDLE, Christopher, Nelles; US
Mandataire : KAPALKA, Robert, J. ; Tyco Technology Resources Suite 140 4550 New Linden Hill Road Wilmington, DE 19808, US
Données relatives à la priorité :
10/648,02226.08.2003US
60/434,36517.12.2002US
Titre (EN) SERIES/SHUNT SWITCH AND METHOD OF OPERATION
(FR) COMMUTATEUR SERIE/PARALLELE ET MODES DE FONCTIONNEMENT
Abrégé : front page image
(EN) A switch includes at least two signal ports in series with a series FET connected therebetween, and a shunt path having an FET, whereby an input bias is applied to a gate on the series FET and to a drain on the shunt FET. In one embodiment, the switch includes a control signal input, an FET connected in series across the first port and the second port, the series FET having a gate coupled to the control signal input, and a shunt path provided by an FET, the shunt FET having a drain coupled to the control signal input and to the gate of the series FET, whereby a single control signal is applied to both the series FET and the shunt FET, via the control signal input, in order to turn the series FET on and simultaneously turn the shunt FET off and, conversely, in order to turn the series FET off and simultaneously turn the shunt FET on.
(FR) Un commutateur comporte au moins deux ports signal en série avec une série de transistors à effet de champ montés entre ces deux portes, et un chemin en parallèle équipé d'un transistor à effet de champ, ce qui fait qu'une polarisation d'entrée vient s'appliquer à une grille du transistor à effet de champ en série ainsi qu'à un collecteur du transistor à effet de champ en parallèle. Pour un mode de réalisation, le commutateur comporte une entrée de signal de commande, et un transistor à effet de champ monté en série entre les deux ports. La grille du transistor à effet de champ en série est couplée à l'entrée du signal de commande. Un trajet parallèle est réalisé par un transistor à effet de champ. Le collecteur du transistor à effet de champ parallèle est couplé à l'entrée du signal de commande ainsi qu'à la grille du transistor à effet de champ en série. Il en résulte qu'un unique signal de commande vient s'appliquer aussi bien au transistor à effet de champ en série qu'au transistor à effet de champ en parallèle, via l'entrée du signal de commande, de façon à rendre passant le transistor à effet de champ en série tout en ouvrant le transistor à effet de champ parallèle, ou réciproquement, de façon à ouvrir le transistor à effet de champ en série tout en rendant passant le transistor à effet de champ parallèle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)