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1. WO2004059756 - ELEMENT MOLECULAIRE FONCTIONNEL ET DISPOSITIF MOLECULAIRE FONCTIONNEL

Numéro de publication WO/2004/059756
Date de publication 15.07.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2003/016819
Date du dépôt international 25.12.2003
CIB
B82B 1/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82NANOTECHNOLOGIE
BNANOSTRUCTURES FORMÉES PAR MANIPULATION D’ATOMES, DE MOLÉCULES OU D’ENSEMBLES LIMITÉS D’ATOMES OU DE MOLÉCULES UN À UN COMME DES UNITÉS INDIVIDUELLES; LEUR FABRICATION OU LEUR TRAITEMENT
1Nanostructures formées par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
H01L 29/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 51/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
H01L 51/0595
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0575the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
0595molecular electronic devices
Y10S 977/731
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
977Nanotechnology
70Nanostructure
724Devices having flexible or movable element
731formed from a single atom, molecule, or cluster
Y10S 977/791
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
977Nanotechnology
70Nanostructure
788Of specified organic or carbon-based composition
789in array format
79with heterogeneous nanostructures
791Molecular array
Y10S 977/94
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
977Nanotechnology
902Specified use of nanostructure
932for electronic or optoelectronic application
94in a logic circuit
Y10S 977/943
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
977Nanotechnology
902Specified use of nanostructure
932for electronic or optoelectronic application
943Information storage or retrieval using nanostructure
Déposants
  • SONY CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • SONY INTERNATIONAL (EUROPE) G.M.B.H. [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • MATSUI, Eriko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • HARNACK, Oliver [DE]/[DE] (UsOnly)
  • MATSUZAWA, Nobuyuki [JP]/[DE] (UsOnly)
  • YASUDA, Akio [JP]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • MATSUI, Eriko
  • HARNACK, Oliver
  • MATSUZAWA, Nobuyuki
  • YASUDA, Akio
Mandataires
  • TSUNODA, Yoshisue
Données relatives à la priorité
2002-37397325.12.2002JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) FUNCTIONAL MOLECULAR ELEMENT AND FUNCTIONAL MOLECULAR DEVICE
(FR) ELEMENT MOLECULAIRE FONCTIONNEL ET DISPOSITIF MOLECULAIRE FONCTIONNEL
(JA) 機能性分子素子及び機能性分子装置
Abrégé
(EN)
A functional molecular element having a function controlled by an electric field on a new principle. In the functional molecular element (1), a Lewis base molecule (14) having a positive dielectric constant anisotropy or a dipole moment along the major axis of the molecule is provided in the form of a pendant to a linear or filmy foundation molecule (2) having a conjugated system and exhibiting a conductivity, with a metal ion (3) capable of acting as a Lewis acid interposed between the molecules. When a voltage is applied, the conformation is changed to exhibit the function. The molecules (2, 14) and the metal ion (3) form a complex. When an electric field is applied to the Lewis base molecule (14) in a direction, for example, perpendicular to the paper as shown in Fig. 1(b), the Lewis molecule (14) oscillates within the range of 90 degrees around a vertical axis in the paper plane. When an electric field is applied to the Lewis base molecule (14) in a vertical direction in the paper plane as shown in Fig. 1(c), the Lewis molecule (14) rocks around an axis perpendicular to the paper plane to switch on/off the conductivity of the conducting foundation molecule (2).
(FR)
L'invention concerne un élément moléculaire fonctionnel à fonction contrôlée par un champ électrique selon un nouveau principe. Dans l'élément moléculaire fonctionnel (1), une molécule de base de Lewis (14) à anisotropie de constante diélectrique positive ou moment dipole le long de l'axe majeur de la molécule se présente sous la forme de pendant à une molécule de fondation linéaire ou en film (2) ayant un système conjugué et une conductivité, avec un ion métal (3) capable de tenir lieu d'acide de Lewis intercalé entre les molécules. A l'application d'une tension, la conformation se transforme pour exprimer la fonction. Les molécules (2, 14) et l'ion métal (3) forment un complexe. A l'application d'un champ électrique sur la molécule de base de Lewis (14) dans une direction, par exemple, perpendiculaire au papier comme indiqué à la figue 1(b), la molécule de Lewis (14) oscille dans la gamme de 90 degrés autour d'un axe vertical dans le plan du papier. Lorsqu'un champ électrique est appliqué à la molécule de base de Lewis (14) selon une direction verticale dans le plan du papier comme indiqué à la figure 1(c), la molécule de Lewis (14) tourne autour d'un axe perpendiculaire au plan du papier pour activer/désactiver la conductivité de la molécule de fondation conductrice (2).
(JA)
その機能が、新しい原理に基づいて電界によって制御される機能性分子素子である。共役系を有し導電性を示す線状または膜状の基軸分子(2)に対して、ルイス酸として働き得る金属イオン(3)を介して、正の誘電率異方性を有するか、又は分子の長軸方向に双極子モーメントを有するルイス塩基分子(14)をペンダント状に配置して、電界の印加によってコンフォメーションが変化して機能を発現する機能性分子素子(1)を形成する。導電性基軸分子(2)とルイス塩基分子(14)とは、金属イオン(3)と錯体を形成している。ルイス塩基分子(14)は、例えば、第1図(b)に示すように紙面に直交する方向に電界を印加すると、紙面の上下方向を軸にして90度の首振り運動を行い、また、第1図(c)に示すように紙面の上下方向に電界を印加すると、紙面に直交する方向を軸にしてシーソー型の運動を行い、導電性基軸分子(2)の導電性をスイッチする。
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