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1. (WO2004059755) DISPOSITIF MAGNETORESISTIF A COURANT PERPENDICULAIRE AU PLAN (CPP), SON PROCEDE DE PRODUCTION, ET MEMOIRE MAGNETIQUE POURVUE DE CE DISPOSITIF MAGNETORESISTIF A CPP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/059755    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/016191
Date de publication : 15.07.2004 Date de dépôt international : 17.12.2003
CIB :
G11B 5/39 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588 (JP) (Tous Sauf US).
NAGASAKA, Keiichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SEYAMA, Yoshihiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OSHIMA, Hirotaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIMIZU, Yutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAGASAKA, Keiichi; (JP).
SEYAMA, Yoshihiko; (JP).
OSHIMA, Hirotaka; (JP).
SHIMIZU, Yutaka; (JP).
TANAKA, Atsushi; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku, Tokyo 150-6032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-372423 24.12.2002 JP
Titre (EN) CPP MAGNETORESISTIVE DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND MAGNETIC STORAGE HAVING CPP MAGNETORESISTIVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF MAGNETORESISTIF A COURANT PERPENDICULAIRE AU PLAN (CPP), SON PROCEDE DE PRODUCTION, ET MEMOIRE MAGNETIQUE POURVUE DE CE DISPOSITIF MAGNETORESISTIF A CPP
(JA) CPP磁気抵抗効果素子及びその製造方法、CPP磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置
Abrégé : front page image
(EN)A CPP (Current Perpendicular to Plane) magnetoresistive device comprises a GMR film (20) having such a structure where a magnetic intermediate layer (30) and an oxidized insulating layer (31) are formed between a fixed magnetization layer (28) and a free magnetization layer (33) via a lower nonmagnetic intermediate layer (29) and an upper nonmagnetic intermediate layer (32). Consequently, the resistance change rate can be improved by current-narrowing effect of the oxidized insulating layer (31) and interfacial scattering at the magnetic/nonmagnetic interface (BD1) between the magnetic intermediate layer (30) and the lower nonmagnetic intermediate layer (29). As a result, the CPP magnetoresistive device has a high resistance change rate and a high sensitivity and is suitable for a high-density recording.
(FR)L'invention concerne un dispositif magnétorésistif à courant perpendiculaire au plan (CPP) comprenant une bande à magnétorésistance géante (GMR) (20) structurée de la manière suivante : une couche intermédiaire magnétique (30) ainsi qu'une couche isolante oxydée (31) sont disposées entre une couche de magnétisation fixe (28) et une couche de magnétisation libre (33), et avant, entre une couche intermédiaire non magnétique inférieure (29) et une couche intermédiaire non magnétique supérieure (32). Ainsi, la vitesse de variation de résistance peut être améliorée par l'effet réducteur de courant de la couche isolante oxydée (31) ainsi que par une diffusion interfaciale au niveau de l'interface magnétique/non magnétique (BD1) entre la couche intermédiaire magnétique (30) et la couche intermédiaire non magnétique inférieure (29). Par conséquent, le dispositif magnétorésistif à CPP selon l'invention présente une vitesse de variation de résistance ainsi qu'une sensibilité élevées et peut être utilisé pour effectuer un enregistrement haute densité.
(JA)CPP(Current Perpendicular to Plane)磁気抵抗効果素子のGMR膜(20)は、固定磁化層(28)と自由磁化層(33)との間に、下側非磁性中間層(29)及び上側非磁性中間層(32)を介して、磁性中間層(30)及び酸化絶縁層(31)を設けた構造とする。酸化絶縁層(31)の電流狭窄効果と磁性中間層(30)/下側非磁性中間層(29)との磁性/非磁性界面(BD1)での界面散乱効果により抵抗変化率を向上させることができる。抵抗変化率が高く高感度で高密度記録に適したCPP磁気抵抗効果素子を実現することができる。
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)