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1. (WO2004059748) CAPTEUR OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/059748    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/016801
Date de publication : 15.07.2004 Date de dépôt international : 25.12.2003
CIB :
G01J 1/44 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka 435-8558 (JP) (Tous Sauf US).
SUZUKI, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIZUNO, Seiichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUZUKI, Yasuhiro; (JP).
MIZUNO, Seiichiro; (JP)
Mandataire : HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Ginza First Bldg., 10-6, Ginza 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 104-0061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-375130 25.12.2002 JP
Titre (EN) OPTICAL SENSOR
(FR) CAPTEUR OPTIQUE
(JA) 光検出装置
Abrégé : front page image
(EN)An optical sensor improved in dynamic range of optical sensing, S/N ratio, and speed. In a photodiode (PDm,n), charge the amount of which depends on the intensity of input light is produced and accumulated in a junction capacitive portion. The charge amount level determining circuit (10m,n) determines the level of the amount of charge accumulated. The capacitance of an integrating capacitive portion (21) of an integrating circuit (20m) is determined according to the result of the charge amount level determination. The charge received from the photodiode (PDm,n) through a switch (SW1m,n) is accumulated in the integrating capacitive portion (21), and a voltage value (V20) depending on the accumulated amount of charge is outputted from the integrating circuit (20m). A voltage value (Vinp) is inputted into a noninverting input terminal of an amplifier (A) of the integrating circuit (20m). The voltage value (Vinp) during the first period of time during which the junction capacitive portion of the photodiode (PDm,n) holds the charge is higher than that during the second period of time during which the integrating capacitive portion (21) of the integrating circuit (20m) holds the charge.
(FR)L'invention porte sur un capteur optique présentant une amélioration de plage dynamique de détection optique, du rapport signal/bruit et de la vitesse. Dans une photodiode (PDm,n), une charge dont la quantité dépend de l'intensité de la lumière d'entrée est produite et accumulée dans une partie à jonction capacitive. Le circuit (10m,n) déterminant le niveau de charge détermine le niveau de charge accumulée. La capacitance d'une partie capacitive (21) d'un circuit d'intégration (20m) est déterminée en fonction du résultat de la détermination du niveau de charge. La charge provenant de la photodiode (PDm,n) par l'intermédiaire d'un commutateur (SW1m,n) est accumulée dans la partie capacitive (21) et une valeur de tension (V20) dépendant de la quantité de charge accumulée est émise par le circuit d'intégration (20m). une valeur de tension (Vinp) est introduite dans une borne d'entrée sans inversion d'un amplificateur (A) du circuit d'intégration (20m). La valeur de tension (Vinp) pendant la première période durant laquelle la partir à jonction capacitive de la photodiode (PDm,n) maintient la charge est supérieure à celle pendant la seconde période durant laquelle la partie à jonction capacitive (21) du circuit d'intégration (20m) maintient la charge.
(JA)本発明は、光検出のダイナミックレンジ、S/N比および速度の何れをも向上させることができる光検出装置を提供することを目的とする。フォトダイオードPDm,nは、入射光強度に応じた量の電荷を発生して接合容量部に蓄積する。電荷量レベル判定回路10m,nは、フォトダイオードPDm,nで発生して接合容量部に蓄積されている電荷の量のレベルを判定する。積分回路20mは、この電荷量レベル判定結果に基づいて積分容量部21の容量値が設定され、フォトダイオードPDm,nからスイッチSW1m,nを経て入力した電荷を積分容量部21に蓄積して、この蓄積電荷量に応じた電圧値V20を出力する。積分回路20mのアンプAの非反転入力端子に入力する電圧値Vinpは、フォトダイオードPDm,nの接合容量部が電荷を蓄積している第1期間より、積分回路20mの積分容量部21が電荷を蓄積している第2期間の方が大きく設定される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)