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1. (WO2004059733) FUSIBLE PROGRAMMABLE POUR DISPOSITIF ELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/059733    N° de la demande internationale :    PCT/EP2003/013471
Date de publication : 15.07.2004 Date de dépôt international : 29.11.2003
CIB :
H01L 23/525 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St. Martin-Strasse 53, 81669 München (DE)
Inventeurs : KOTHANDARAMAN, Chandrasekharan; (US)
Mandataire : KINDERMANN, Peter; Patentanwälte Kindermann, Postfach 1330, 85627 Grasbrunn (DE)
Données relatives à la priorité :
10/335,320 31.12.2002 US
Titre (EN) PROGRAMMABLE FUSE FOR AN ELECTRONIC DEVICE
(FR) FUSIBLE PROGRAMMABLE POUR DISPOSITIF ELECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A fuse device including a transistor having a source, drain, and gate. The gate includes a first and second gate contact. A current may be run from the first gate contact to the second gate contact to heat the gate. The current through the gate indirectly heats the channel region beneath the gate, causing localized annealing of the channel region. The heated gate causes dopants to diffuse from the source and drain into the channel region, permanently changing the properties of the transistor material and programming the fuse device. The fuse device functions as a transistor in an unprogrammed state, and acts as a shunt in a programmed state, caused by the shorting of the source and drain of the transistor during programming.
(FR)L'invention concerne un fusible comprenant un transistor possédant une source, un drain et une grille. La grille comprend un premier et un second contact de grille. Un courant peut être véhiculé depuis le premier contact de grille jusqu'au second contact de grille de manière à chauffer la grille. Le courant traversant la grille chauffe indirectement la zone de canal située en dessous de la grille, d'où un recuit localisé de cette zone de canal. La grille chauffée amène les dopants à se diffuser à partir de la source et du drain dans la zone de canal, ce qui permet la modification permanente des propriétés du matériau de transistor et la programmation du fusible. Ledit fusible fonctionne comme un transistor dans un état non programmé et fait office de shunt dans un état programmé du fait de la mise en court-circuit de la source et du drain du transistor pendant la programmation.
États désignés : CN, JP, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)