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1. (WO2004059717) TRANSISTOR A COUCHES MINCES, PROCEDE DE PRODUCTION D'UN TRANSISTOR A COUCHES MINCES ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE EQUIPE D'UN TEL TRANSISTOR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/059717    N° de la demande internationale :    PCT/IB2003/005940
Date de publication : 15.07.2004 Date de dépôt international : 11.12.2003
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
GLASSE, Carl [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
BROTHERTON, Stanley, D. [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : GLASSE, Carl; (GB).
BROTHERTON, Stanley, D.; (GB)
Mandataire : WILLIAMSON, Paul, L.; Philips Intellectual Property & Standards, Cross Oak Lane, Redhill, Surrey RH1 5HA (GB)
Données relatives à la priorité :
0230140.6 24.12.2002 GB
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR, METHOD FOR PRODUCING A THIN FILM TRANSISTOR AND ELECTRONIC DEVICE HAVING SUCH A TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A COUCHES MINCES, PROCEDE DE PRODUCTION D'UN TRANSISTOR A COUCHES MINCES ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE EQUIPE D'UN TEL TRANSISTOR
Abrégé : front page image
(EN)A thin film transistor (100) is mounted on a substrate (102), which is covered by a semiconductor layer (120). The semiconductor layer (120) has a first doped region (121) and a second doped region (122) with an undoped region (123) in between. In addition, the semiconductor layer (120) has a first further doped region (125) and a second further doped region (126) forming the source and drain of the thin film transistor (100) and being more heavily doped than the first doped region (121) and the second doped region (122). A part of the semiconductor layer (120) is covered by an oxide layer (140), which carries a conductive gate (104) over the undoped region (130) and a first spacer (111) and second spacer (112) over the first doped region (121) and the second doped region (122) respectively. In addition, the oxide layer (140) carries a first insulating spacer (125) and a second insulating spacer (126) to provide adequate insulation between the gate structure and a first conducting contact (135) and a second conducting contact (136) respectively. Because the first spacer (111), the second spacer (112), the first insulating spacer (115) and the second insulating spacer (116) are mounted on the oxide layer (140), a thin film transistor (100) with favourable parasitic conductivity characteristics is obtained.
(FR)L'invention concerne un transistor à couches minces (100) qui est monté sur un substrat (102) recouvert d'une couche de semi-conducteur (120). Cette couche de semi-conducteur (120) comporte une première région dopée (121) et une seconde région dopée (122) séparées par une région non dopée (123). Cette couche de semi-conducteur (120) comprend par ailleurs une première région plus fortement dopée (125) et une seconde région plus fortement dopée (126) qui forment la source et le drain du transistor à couches minces (100) et qui présentent un niveau de dopage supérieur à celui de la première région dopée (121) et de la seconde région dopée (122). Une partie de la couche de semi-conducteur (120) est recouverte d'une couche d'oxyde (140) qui porte une grille conductrice (104) située au-dessus de la région non dopée (123), ainsi qu'un premier espaceur (111) et un second espaceur (112) situés respectivement au-dessus de la première région dopée (121) et de la seconde région dopée (122). Cette couche d'oxyde (140) porte en outre un premier espaceur isolant (115) et un second espaceur isolant (116) destinés à procurer une isolation adéquate entre la structure de grille et un premier contact conducteur (135) et un second contact conducteur (136), respectivement. Du fait que le premier espaceur (111), le second espaceur (112), le premier espaceur isolant (115) et le second espaceur isolant (116) sont montés sur la couche d'oxyde (140), le transistor à couches minces (100) obtenu présente des caractéristiques de conductivité parasite avantageuses.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)