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1. (WO2004059714) DISPOSITIF DE POLISSAGE ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/059714    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/016421
Date de publication : 15.07.2004 Date de dépôt international : 22.12.2003
CIB :
B24B 37/16 (2012.01)
Déposants : NIKON CORPORATION [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 3-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8311 (JP) (Tous Sauf US).
ASADA, Naoki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HOSHINO, Susumu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ASADA, Naoki; (JP).
HOSHINO, Susumu; (JP)
Mandataire : HOSOE, Toshiaki; Corpo Fuji 605, 3-6, Nishikanagawa 1-Chome, Kanagawa-ku, Yokohama-Shi, Kanagawa 221-0822 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-376646 26.12.2002 JP
Titre (EN) POLISHING DEVICE AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE POLISSAGE ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 研磨装置及び半導体デバイスの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A slide member (7) is screwed to a flange portion (8), and an orifice-like plate (9), a polishing-stone holder (10), and a polishing- stone hold-down member are screwed to the flange portion (8). The polishing-stone holder (10) and the polishing- stone hold-down member (11) are screwed together with a different screw from the above. Alumina-ceramic polishing stones (12) are arranged between the polishing-stone holder (10) and the polishing-stone hold-down member (11). When a holder (4) and a pin chuck (5) surface are separated from each other, the polishing stones (12) are maximally projected from the holder (4). While when a chuck-cleaning device (1) is lowered to a state where the polishing stones (12) and the pin chuck (5) surface are in contact with each other, the polishing stones (12) are retracted adapting themselves to the pin chuck surface. Further, even if the pin-chuck (5) surface has undulation (projections and depressions), each polishing stone (12) comes into contact with the surface, adapting itself to the projections and depressions. This makes it possible that minute foreign substances are effectively removed from the surface of a portion for holding an object to be polished.
(FR)L'invention concerne un élément coulissant (7) vissé sur une partie de bride (8), et une plaque de type orifice (9), un dispositif de support (10) de pierre de polissage, et un élément de support en position basse de pierre de polissage, sont vissés sur la partie de bride (8). Le dispositif de support (10) de pierre de polissage et l'élément de support en position basse de pierre de polissage (11) sont vissés ensemble avec une vis différente de celle mentionnée ci-dessus. Des pierres de polissage en céramique d'alumine (12) sont agencées entre le dispositif de support de pierre de polissage (10) et l'élément de support de position basse de pierre de polissage (11). Lorsqu'un dispositif de support (4) et une surface de mandrin à tige (5) sont séparés l'un de l'autre, les pierres de polissage (12) sont avancées en saillie de manière maximale à partir du dispositif de support (4). Lorsqu'un dispositif de nettoyage de mandrin (1) est abaissé dans un état où les pierres de polissage (12) et la surface du mandrin à tige (5) viennent en contact, les pierres de polissage (12) se retirent pour s'adapter à la surface de mandrin à tige. En outre, même si la surface de mandrin à tige (5) présente des ondulations (saillies et creux), chaque pierre de polissage (12) vient en contact avec sa surface, s'adapte aux saillies et aux creux. Ceci permet d'éliminer des substances étrangères minuscules de manière efficace, de la surface d'une partie maintenue d'un objet à polir.
(JA) 摺動部材7は、フランジ部8にネジ止めされており、フランジ部8にはオリフィス状のプレート9と砥石ホルダ10と砥石押さえがネジ止めされている。これとは別のネジにより、砥石ホルダ10と砥石押さえ11がネジ止めされ、これら砥石ホルダ10と砥石押さえ11の間にアルミナセラミックス製の砥石12が挟み込まれている。ホルダ4とピンチャック5面が離れている状態では、砥石12は最大限にホルダ4から突出した状態になっているが、チャック洗浄装置1を下降させ、砥石12とピンチャック5面を接触させた状態では、砥石12がピンチャック面に倣って引っ込み、ピンチャック5面にうねり(凹凸)があった場合でも、各砥石12がその凹凸に倣って表面に接触するようになる。これにより、研磨対象物保持部表面から微小異物を効果的に除去することが可能となる。
États désignés : JP, KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)